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IRF530NSTRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 17 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 14M-IRF530NSTRLPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF530NSTRLPBF

IRF530NSTRLPBF概述

    IRF530NSPbF 和 IRF530NLPbF: 先进的HEXFET® 功率MOSFET 技术

    1. 产品简介


    IRF530NSPbF 和 IRF530NLPbF 是由International Rectifier公司生产的先进HEXFET®功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件采用先进的加工技术,以实现每单位硅面积上的极低导通电阻。这些MOSFET以其快速开关速度和坚固的设计而闻名,非常适合各种高电流应用。
    - 产品类型:功率MOSFET
    - 主要功能:高电流能力,快速开关,极低的导通电阻
    - 应用领域:电源管理、电机驱动、通信设备、工业控制和消费电子产品

    2. 技术参数


    这些产品的关键参数如下:
    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | RθJC | - | 2.15 | °C/W |
    | RθJA | - | 40 | °C/W |
    | VDSS | 100 | - | V |
    | RDS(on) | - | 90 | mΩ |
    | ID | - | 17 | A |
    | IDM | - | 60 | A |
    | PD | - | 3.8 | W |
    | TJ | -55 | 175 | °C |
    | dv/dt | - | 7.4 | V/ns |

    3. 产品特点和优势


    - 先进的工艺技术:极低的导通电阻。
    - 动态dv/dt额定值:能够承受高电压变化率。
    - 175°C操作温度:适用于高温环境。
    - 快速开关:减少能量损耗。
    - 完全雪崩等级认证:增强可靠性。
    - 无铅设计:符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    这些MOSFET广泛应用于高电流和高可靠性的场景,如电源转换、电机驱动系统和通信设备。具体应用实例包括用于服务器电源供应器的稳压电路、风力发电系统中的逆变器,以及电动汽车充电站的电力转换装置。
    使用建议:
    - 确保散热片的有效连接,以降低RθJA。
    - 在高功率应用中,考虑并联使用多个器件以分担热量。
    - 使用适当的栅极驱动电路来避免瞬态电压引起的栅极损坏。

    5. 兼容性和支持


    这些MOSFET可以与其他标准组件一起使用,并且提供详细的接口说明。制造商提供技术支持和产品文档,如应用笔记和故障排除指南,帮助用户更好地集成这些器件到现有系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查是否有外部寄生电感,并进行适当调整。 |
    | 开关时过热 | 增加散热器尺寸或改善散热条件。 |
    | 栅极驱动不稳定 | 调整栅极驱动电压和电路设计,确保稳定的信号传输。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,IRF530NSPbF 和 IRF530NLPbF 在高电流应用中表现出色,具有出色的导通电阻、快速开关特性和高可靠性。虽然成本较高,但其卓越的性能和广泛的适用性使其成为众多领域的理想选择。强烈推荐在高要求的应用中使用这些器件。
    这份技术手册详细介绍了IRF530NSPbF 和 IRF530NLPbF 功率MOSFET 的各个方面,有助于工程师理解和选用这些高性能器件。

IRF530NSTRLPBF参数

参数
栅极电荷 37nC@ 10 V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 920pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 9A,10V
Id-连续漏极电流 17A
最大功率耗散 3.8W(Ta),70W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRF530NSTRLPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF530NSTRLPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF数据手册

IRF530NSTRLPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.4
10+ ¥ 3.09
30+ ¥ 2.42
100+ ¥ 2.14
300+ ¥ 2.06
800+ ¥ 2
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