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IRLMS6702TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.7W(Ta) 12V 700mV@ 250µA (Min) 8.8nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 200mΩ@ 1.6A,4.5V 2.4A 210pF@15V TSOP 贴片安装
供应商型号: 30C-IRLMS6702TRPBF TSOP-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLMS6702TRPBF

IRLMS6702TRPBF概述

    # IRLMS6702PbF HEXFET® Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRLMS6702PbF 是一款由 International Rectifier 开发的第五代 HEXFET® 功率 MOSFET。它采用先进的工艺技术实现极低的导通电阻(RDS(on)),从而大幅提高了效率并增强了可靠性。这种器件以优异的开关速度和坚固的设计闻名,广泛应用于消费电子市场中各种需要高效能和小尺寸的应用场景。
    主要功能
    - 极低导通电阻(RDS(on) = 0.20Ω)。
    - 负电压范围支持:VDSS = -20V。
    - HEXFET® Power MOSFET 技术,确保高可靠性和高效性能。
    应用领域
    - 消费电子设备(如手机、平板电脑、电视)。
    - 工业控制和小型电器。
    - 其他对空间利用率和效率要求较高的设备。

    技术参数


    以下是 IRLMS6702PbF 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 值 |

    | VDSS(漏源击穿电压)| -20V |
    | RDS(on)(导通电阻)| 0.20Ω |
    | 最大漏极电流 | -1.6A |
    | 工作温度范围 | -55°C 至 +150°C |
    | 封装形式 | Micro6™(SOT23-6L) |
    详细性能:
    - 导通电阻在 25°C 和 150°C 下分别测量为 0.20Ω 和接近 0.25Ω。
    - 在 -4.5V 栅源电压下,漏极电流可达 -1.6A。
    - 微型封装 Micro6™ 提供了 60% 更低的 RDS(on),相比相同尺寸的 SOT-23 提升了近 300% 的电流承载能力。

    产品特点和优势


    1. 卓越的性能表现:
    IRLMS6702PbF 的低导通电阻显著减少了功率损耗,从而提高了整体系统效率,尤其是在高频开关应用中表现出色。
    2. 紧凑设计:
    Micro6™ 封装比传统 SOT-23 更小,节省了宝贵的 PCB 空间,非常适合空间受限的设计需求。
    3. 出色的热管理:
    改进后的热设计使得 IRLMS6702PbF 在高功率应用中依然保持稳定的运行状态。
    4. 高可靠性和耐用性:
    结合坚固的器件设计和快速开关性能,使其在恶劣的工作环境中也能稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 充电器和适配器: 由于 IRLMS6702PbF 的高效率特性,它特别适合用于 AC/DC 转换器中。
    - 电池管理系统: 在便携式设备中,其低功耗特性和高集成度有助于延长电池寿命。
    - 照明系统: 可用作 LED 驱动电路中的开关元件,提升驱动效率。
    使用建议:
    - 散热设计: 在高电流负载下,确保良好的热传导路径以防止过热。
    - 栅极驱动优化: 使用合适的驱动电路避免高频振铃现象,进一步降低功耗。
    - 兼容性检查: 确保所选电路板设计与 Micro6™ 封装的引脚排列完全匹配。

    兼容性和支持


    IRLMS6702PbF 的 Micro6™ 封装与 SOT-23 标准引脚一致,可以轻松替代传统器件。Infineon Technologies 提供了详尽的技术文档和支持资源,包括电气特性表、PCB 布局指南以及详细的测试报告,帮助客户快速完成开发。
    此外,公司还提供在线技术支持服务,通过 Infineon 官方网站可访问最新的产品数据手册和设计工具。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过温保护失败 | 确保正确的散热措施并检查 PCB 设计。 |
    | 开关频率不稳定 | 调整驱动电路以减少振铃效应。 |
    | 导通电阻值高于预期 | 检查工作温度是否超出推荐范围。 |

    总结和推荐


    IRLMS6702PbF 是一款高度集成且性能优越的功率 MOSFET,非常适合需要高效、小体积和高可靠性的应用场景。其低导通电阻、Micro6™ 封装及强大的热设计使其在市场上具有显著的竞争优势。
    推荐指数:★★★★☆
    综上所述,IRLMS6702PbF 是一款值得推荐的产品,尤其对于空间敏感型设计和高效率要求的应用场景。建议在相关项目中优先考虑此型号,以实现更优的整体性能和成本效益。

IRLMS6702TRPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 1.6A,4.5V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 1.7W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV@ 250µA (Min)
栅极电荷 8.8nC@ 4.5 V
Id-连续漏极电流 2.4A
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 210pF@15V
3mm(Max)
1.75mm(Max)
1.45mm(Max)
通用封装 TSOP
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRLMS6702TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLMS6702TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLMS6702TRPBF IRLMS6702TRPBF数据手册

IRLMS6702TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.7032
100+ ¥ 1.3691
750+ ¥ 1.2181
1500+ ¥ 1.1535
3000+ ¥ 1.0996
18000+ ¥ 1.0888
39000+ ¥ 1.078
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