处理中...

首页  >  产品百科  >  IPP80N06S2L11

IPP80N06S2L11

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 158W 20V 1个N沟道 55V 11mΩ 80A TO-220-3 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP80N06S2L11

IPP80N06S2L11概述

    OptiMOS® Power-Transistor IPB80N06S2L-11, IPP80N06S2L-11, IPI80N06S2L-11

    1. 产品简介


    OptiMOS®系列是由英飞凌科技开发的一种高效能N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。这些产品特别适用于汽车和工业领域的高效率电力转换应用。IPB80N06S2L-11、IPP80N06S2L-11和IPI80N06S2L-11分别是三种不同封装形式的同一款产品,提供更高的可靠性、更低的电阻和更广泛的温度范围操作能力。

    2. 技术参数


    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC=25 °C, VGS=10 V: 80 A
    - TC=100 °C, VGS=10 V: 58 A
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse): TC=25 °C: 320 A
    - 雪崩能量 (EAS): ID=80A: 280 mJ
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 最大功耗 (Ptot): TC=25 °C: 158 W
    - 操作及存储温度 (Tj, Tstg): -55 ... +175 °C
    - 最大漏源电压 (VDS): 55 V
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on),max): 10.7 mΩ
    - 热阻抗 (RthJC): 0.95 K/W (junction-case)
    - 热阻抗 (RthJA):
    - 带引线封装: 62 K/W
    - 表面贴装 (SMD) 版本: 最小安装面积下为62 K/W;在6 cm²冷却区域为40 K/W

    3. 产品特点和优势


    - N通道逻辑电平增强模式: 使设备更容易驱动,提高电路设计的灵活性。
    - 汽车级认证 (AEC-Q101): 适合汽车应用的高可靠性要求。
    - 绿色封装 (无铅): 符合环保标准。
    - 超低导通电阻 (Ultra low Rds(on)): 减少功耗,提高能效。
    - 100% 雪崩测试: 确保产品的耐用性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 汽车电子系统: 用于电池管理系统的逆变器和变换器中。
    - 工业自动化: 用于电机控制和电源转换应用。
    - 使用建议:
    - 在选择散热片时,确保散热片具有良好的热传导能力,以降低热阻抗。
    - 使用适当的门极驱动器来避免过度压降导致的漏电现象。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与大多数常用的门极驱动器兼容,适用广泛的应用场景。
    - 支持和服务: 英飞凌提供了详尽的技术文档和应用指南,方便用户深入了解和使用该产品。此外,还提供技术支持和售后维修服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高温下性能下降。
    - 解决方案: 使用更大的散热片或增加风扇来提高散热效果。
    - 问题2: 驱动电流过大导致设备损坏。
    - 解决方案: 检查并调整门极驱动器的输出电流,确保不超过设备的最大额定值。

    7. 总结和推荐


    OptiMOS® IPB80N06S2L-11、IPP80N06S2L-11和IPI80N06S2L-11系列产品是设计用于高效率电力转换应用的理想选择。其超低的导通电阻和优良的热特性使其在各种工业和汽车环境中表现优异。强烈推荐在需要高性能和可靠性的应用中使用这款产品。

IPP80N06S2L11参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 158W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 80A
Vds-漏源极击穿电压 55V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装

IPP80N06S2L11厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP80N06S2L11数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP80N06S2L11 IPP80N06S2L11数据手册

IPP80N06S2L11封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336