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IPD040N03LGATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 79W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 38nC@ 10 V 1个N沟道 30V 4mΩ@ 30A,10V 90A 3.9nF@15V TO-252 贴片安装
供应商型号: IPD040N03LGATMA1
供应商: TME
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD040N03LGATMA1

IPD040N03LGATMA1概述

    OptiMOS®3 Power Transistor IPD040N03L G & IPS040N03L G 技术手册

    产品简介


    OptiMOS®3 Power Transistor 是一款专为开关电源(SMPS)设计的高效能场效应晶体管(MOSFET)。这款N沟道逻辑电平MOSFET 集成了先进的技术,特别适用于直流/直流转换器的应用场景。此产品已经通过JEDEC认证,确保其在目标应用领域的可靠性和稳定性。

    技术参数


    以下是 IPD040N03L G 和 IPS040N03L G 的主要技术规格:
    - 连续漏极电流 (ID):在 VGS=10 V, TC=25 °C 时可达 90 A;在 VGS=4.5 V, TC=25 °C 时可达 89 A。
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):在 TC=25 °C 时可达 400 A。
    - 雪崩电流 (IAS):在 TC=25 °C 时可达 90 A。
    - 雪崩能量 (EAS):在 ID=50 A, RGS=25 Ω 时可达 60 mJ。
    - 最大功率耗散 (Ptot):在 TC=25 °C 时可达 79 W。
    - 最高工作温度 (Tj, Tstg):-55...175 °C。
    - 热阻 (RthJC):- - 1.9 K/W。
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS):在 VDS=30 V, VGS=0 V, Tj=25 °C 时可达 0.1 µA 至 1 µA。
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):在 VGS=4.5 V, ID=30 A 时可达 4.7 mΩ 至 5.9 mΩ。
    - 输入电容 (Ciss):在 2900 pF 至 3900 pF 之间。
    - 反向恢复电荷 (Qrr):在 VR=15 V, IF=IS, diF/dt=400 A/µs 时可达 20 nC。
    - 栅极总电荷 (Qg):在 VDD=15 V, ID=30 A, VGS=0 to 10 V 时可达 18 nC 至 24 nC。

    产品特点和优势


    OptiMOS®3 Power Transistor 的关键特点是其卓越的栅极电荷乘以 RDS(on) 产品 (FOM) 和非常低的导通电阻 (RDS(on))。这些特性使其成为高性能开关电源的理想选择,尤其适合于 DC/DC 转换器。此外,该产品还具有雪崩等级,能够在高能脉冲下稳定运行。Pb-free 镀层和RoHS合规使其环保性能优异。

    应用案例和使用建议


    这种类型的MOSFET 广泛应用于各种开关电源应用,例如开关模式电源(SMPS)和直流/直流转换器。对于需要高速切换和低损耗的应用场景,OptiMOS®3 Power Transistor 是理想的选择。建议在设计过程中充分考虑散热问题,以确保最佳性能和延长使用寿命。

    兼容性和支持


    OptiMOS®3 Power Transistor 可以与多种其他电子元件和系统兼容,具体取决于应用场景。制造商 Infineon Technologies AG 提供全面的技术支持和服务,确保用户能够充分利用这一产品的优势。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的描述,常见的问题及其解决方案如下:
    - 问题:器件过热
    - 解决方案:增加散热片或采用更大的冷却面积。

    - 问题:漏极电流异常
    - 解决方案:检查电路连接,确认是否符合规定条件。

    - 问题:开启延迟时间过长
    - 解决方案:调整栅极电阻,确保合适的驱动信号。

    总结和推荐


    总体而言,OptiMOS®3 Power Transistor IPD040N03L G 和 IPS040N03L G 是高品质、高性能的场效应晶体管,适用于需要高速开关和低损耗的应用场景。其卓越的特性、可靠的性能以及良好的兼容性使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐使用此产品,特别是在需要高性能和高可靠性的场合。

IPD040N03LGATMA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.9nF@15V
Id-连续漏极电流 90A
最大功率耗散 79W(Tc)
通道数量 -
栅极电荷 38nC@ 10 V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 30A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPD040N03LGATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD040N03LGATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1数据手册

IPD040N03LGATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.485 ¥ 3.9343
500+ $ 0.4344 ¥ 3.5177
1000+ $ 0.4188 ¥ 3.3914
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