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IRLHS6342TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.1W(Ta) 12V 1.1V@ 10µA 11nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 15.5mΩ@ 8.5A,4.5V 8.7A,19A 1.019nF@25V PQFN-6 贴片安装 2mm*2mm*900μm
供应商型号: UA-IRLHS6342TRPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 4000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLHS6342TRPBF

IRLHS6342TRPBF概述

    HEXFET Power MOSFET

    1. 产品简介


    HEXFET Power MOSFET是一种高性能的功率场效应晶体管,主要应用于各种高效率开关电源设计、电机驱动系统、DC-DC转换器等领域。其独特的结构使其具有低导通电阻、低热阻和高可靠性的特点,从而确保在多种复杂应用环境中保持稳定的性能表现。

    2. 技术参数


    - 主要技术规格
    - VDS (漏源电压):30V
    - VGS (栅源电压):±12V
    - RDS(on)最大值 (栅源电压4.5V时):15.5mΩ
    - Qg (典型值):11nC
    - ID (典型值):12A(底部温度25°C时)
    - 绝对最大额定值
    - VDS (漏源电压):30V
    - VGS (栅源电压):±12V
    - ID@TA=25°C (连续漏电流):12A(VGS@10V)
    - ID@TA=70°C (连续漏电流):7.9A(VGS@10V)
    - ID@TC(Bottom)=25°C (连续漏电流):12A(VGS@10V)
    - ID@TC(Bottom)=70°C (连续漏电流):7.9A(VGS@10V)
    - ID@TC(Bottom)=25°C (连续漏电流):12A(VGS@10V,线束限制)
    - IDM (脉冲漏电流):76A
    - PD@TA=25°C (功率耗散):8.7W
    - PD@TA=70°C (功率耗散):6.9W
    - RθJA (结到环境热阻):60°C/W(长时间)
    - TJ (工作结温范围):-55至150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低RDSon (≤15.5mΩ):有效降低导通损耗,提高能效。
    - 低热阻到PCB (≤13°C/W):促进更好的热散逸,提升可靠性。
    - 低轮廓 (≤0.9mm):实现更高的功率密度。
    - 兼容现有表面贴装工艺:易于制造,减少生产成本。
    - 符合RoHS标准:不含铅、溴化物和卤素,更环保。
    - 工业认证:MSL1等级,增强可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:在典型的DC-DC转换器设计中,HEXFET Power MOSFET可以有效地控制输出电压和电流,保证稳定性和高效性。为了优化系统性能,需要合理选择匹配的驱动电路和散热措施。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中,可以通过调节栅极电压来控制电机的速度和扭矩。建议使用PWM控制器以实现精细的控制和更好的能效。
    - 保护措施:在实际应用中,应注意热管理,避免过高的工作温度导致器件损坏。同时,在高电感负载环境下使用时,应增加外部缓冲电路以减轻反向恢复过程中的冲击。

    5. 兼容性和支持


    HEXFET Power MOSFET适用于多种标准表面贴装工艺,与现有的PCB布局兼容。制造商提供了详细的规范和技术支持文档,有助于用户进行准确的设计和测试。对于常见的技术问题,制造商也提供了全面的解答和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:长时间高温工作导致热失效。
    - 解决办法:使用合理的散热设计,如添加散热片或风扇,降低工作温度。
    - 问题二:栅极电压波动引起误触发。
    - 解决办法:确保栅极驱动电路的稳定性,使用低阻抗的栅极驱动器,并增加滤波电容以平滑电压变化。
    - 问题三:逆变电路中的EMI干扰。
    - 解决办法:优化电路布局,使用屏蔽线缆,并考虑添加LC滤波器以减少噪声。

    7. 总结和推荐


    HEXFET Power MOSFET凭借其出色的导通电阻、优秀的热管理和广泛的适用范围,成为市场上极具竞争力的产品。无论是在开关电源、电机驱动还是其他电力电子应用中,该产品都能提供可靠的性能表现。强烈推荐用于需要高效率、紧凑尺寸和高可靠性的设计场合。

IRLHS6342TRPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.019nF@25V
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 11nC@ 4.5 V
最大功率耗散 2.1W(Ta)
Id-连续漏极电流 8.7A,19A
配置 独立式quintdrain双源
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 10µA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 15.5mΩ@ 8.5A,4.5V
长*宽*高 2mm*2mm*900μm
通用封装 PQFN-6
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

IRLHS6342TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLHS6342TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLHS6342TRPBF IRLHS6342TRPBF数据手册

IRLHS6342TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ $ 0.17 ¥ 1.4246
8000+ $ 0.1625 ¥ 1.3618
库存: 8000
起订量: 4000 增量: 4000
交货地:
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