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IPA057N08N3GXKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=80 V, 60 A, TO-220FP封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 448-IPA057N08N3GXKSA1-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPA057N08N3GXKSA1

IPA057N08N3GXKSA1概述

    MOSFET IPA057N08N3 G 技术手册解析

    产品简介


    IPA057N08N3 G 是一款金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于OptiMOS™3系列,主要用于高频开关和同步整流。它特别适用于直流转换器,具有出色的栅电荷和R DS(on)产品(FOM)性能。作为一款N沟道增强型MOSFET,其主要功能和应用领域涵盖了电源管理、多市场应用以及需要高性能开关的应用场景。

    技术参数


    以下是IPA057N08N3 G 的关键技术规格和性能参数:
    - 连续漏极电流:在T C=25 °C时为60 A,在T C=100 °C时为43 A。
    - 脉冲漏极电流:在T C=25 °C时可达240 A。
    - 雪崩能量:单次脉冲下为290 mJ。
    - 栅源电压:±20 V。
    - 最大功率耗散:在T C=25 °C时为39 W。
    - 工作温度范围:存储和工作温度范围为-55至175 °C。

    产品特点和优势


    - 优化的技术:专门针对DC/DC转换器进行优化,以提供更高的效率和更稳定的性能。
    - 出色的FOM值:低栅电荷和低R DS(on)的组合,使得它在高频应用中表现优异。
    - 可靠性:100%通过雪崩测试,且符合RoHS标准和无卤素要求。
    - 全面隔离:具备完全隔离封装,能够在2500 VAC环境下安全运行1分钟。

    应用案例和使用建议


    IPA057N08N3 G 可广泛应用于多种领域,如电源管理、逆变器、电机驱动、照明系统和通信设备。为了确保最佳性能,以下是一些建议:
    - 优化散热设计:考虑到其较高的连续漏极电流和高功率耗散,需要采用有效的散热措施。
    - 合理布局:避免电路布局上的寄生电容,以减少不必要的损耗。

    兼容性和支持


    IPA057N08N3 G 与大多数现有的电路板和系统兼容。对于技术支持和维护,用户可以联系Infineon Technologies AG 获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:在高负载情况下,器件发热严重。
    - 解决办法:增加散热片或采用水冷散热方式。
    - 问题:出现雪崩失效现象。
    - 解决办法:确保在雪崩条件下使用时,不超过器件的最大雪崩能量。

    总结和推荐


    总体而言,IPA057N08N3 G MOSFET凭借其出色的性能和广泛的应用领域,在电力电子领域中具有很高的市场竞争力。无论是高频开关还是同步整流,这款器件都能提供卓越的表现。因此,对于需要高性能MOSFET的用户,强烈推荐使用这款产品。

IPA057N08N3GXKSA1参数

参数
栅极电荷 69nC@ 10 V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 5.7mΩ@ 60A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 90µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.75nF@40V
Vds-漏源极击穿电压 80V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 60A
最大功率耗散 39W(Tc)
长*宽*高 10.65mm(长度)
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IPA057N08N3GXKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPA057N08N3GXKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPA057N08N3GXKSA1 IPA057N08N3GXKSA1数据手册

IPA057N08N3GXKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 3.2656 ¥ 27.329
50+ $ 1.6307 ¥ 13.6471
100+ $ 1.4725 ¥ 12.3233
500+ $ 1.1952 ¥ 10.0021
1000+ $ 1.1061 ¥ 9.2564
2000+ $ 1.0548 ¥ 8.8275
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