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IRFR24N15DTRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管 HEXFET系列, Vds=150 V, 24 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: IRFR24N15DTRPBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 2000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR24N15DTRPBF

IRFR24N15DTRPBF概述

    IRFR24N15DPbF/IRFU24N15DPbF HEXFET Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFR24N15DPbF/IRFU24N15DPbF 是一款由国际整流器公司(International Rectifier)生产的 HEXFET 功率 MOSFET。这类产品主要用于高频直流-直流转换器中,提供低栅极到漏极电荷以减少开关损耗,全特征化电容简化设计,并具有完全特征化的雪崩电压和电流,使其在工业应用中表现优异。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDSS | 150 | V |
    | RDS(on) | 95 | mΩ |
    | ID | 24 | A |
    | IDM | 96 | A |
    | PD | 140 | W |
    | VGS | ± 30 | V |
    | dv/dt | 4.9 | V/ns |
    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |

    | RθJC | - | 1.1 | °C/W
    | RθJA (PCB mount) | - | 50 | °C/W
    | RθJA | - | 110 | °C/W
    | gfs | 8.2 | - | S | VDS=25V, ID=14A |
    | 动态参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |

    | EAS | - | 170 | mJ
    | IAR | - | 14 | A
    | EAR | - | 14 | mJ
    | 静态参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |

    | V(BR)DSS | 150 | - | V | VGS=0V, ID=250µA |
    | RDS(on) | - | 95 | mΩ | VGS=10V, ID=14A |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极到漏极电荷:减少开关损耗,提高效率。
    - 完全特征化电容:简化设计过程,提升可靠性和稳定性。
    - 高雪崩耐受能力:适合极端环境下的稳定运行。
    - 无铅设计:符合环保要求,提高产品可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    IRFR24N15DPbF/IRFU24N15DPbF 主要用于高频直流-直流转换器中。例如,在功率转换模块中,可以显著提高电源转换效率。
    使用建议:
    - 确保 PCB 布局合理,避免过长的走线以减少寄生效应。
    - 使用推荐的热阻抗参数来确保良好的散热效果。
    - 在高频应用中,注意使用恰当的栅极驱动电路以避免过度开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    IRFR24N15DPbF/IRFU24N15DPbF 适用于多种标准封装和焊接技术,详见应用注释 AN-994。
    支持:
    国际整流器公司提供了详尽的技术支持和文档资源,包括应用笔记、封装图等,可通过官网获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的驱动电阻?
    解答: 根据具体的应用需求和栅极充电曲线,选择合适的驱动电阻。建议参考应用笔记 AN-994 中的详细指南。

    - 问题2:如何测量栅极充电时间?
    解答: 使用适当的测试电路进行测量,可参考本手册附带的测试电路图。详细步骤参见应用笔记 AN-994。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    IRFR24N15DPbF/IRFU24N15DPbF 具有卓越的性能和可靠性,适合各种高频直流-直流转换器应用。其独特的设计特点使其在工业应用中具备较强的竞争力。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的场合下使用此产品。

IRFR24N15DTRPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 890pF@25V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 95mΩ@ 14A,10V
栅极电荷 45nC@ 10 V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 24A
最大功率耗散 140W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 150V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 SOT-23,TO-252,TO-252-3,TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFR24N15DTRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR24N15DTRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR24N15DTRPBF IRFR24N15DTRPBF数据手册

IRFR24N15DTRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ ¥ 2.825
6000+ ¥ 2.7572
10000+ ¥ 2.6668
20000+ ¥ 2.599
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