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IRFR4104TRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 42 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: UA-IRFR4104TRLPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR4104TRLPBF

IRFR4104TRLPBF概述


    产品简介


    产品类型:HEXFET® Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:这些MOSFET采用了先进的处理技术,以实现每单位硅面积极低的导通电阻。此外,它们还具有175°C的结温操作范围,快速开关速度和增强的重复雪崩耐受性,使其成为广泛应用的理想选择。
    应用领域:这些MOSFET适用于广泛的工业和汽车应用,包括电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、开关电源和其他需要高效功率转换的应用。

    技术参数


    - VDSS(击穿电压):40V
    - RDS(on)(导通电阻):5.5mΩ(典型值)
    - ID(连续漏电流):42A
    - IDM(脉冲漏电流):480A
    - PD(最大耗散功率):在25°C时为95425W(线性降额系数为0.95W/°C)
    - VGS(栅源电压):±20V
    - EAS(单脉冲雪崩能量):最高达36mJ(测试值)
    - IAR(雪崩电流):高达200A
    - TJ(工作结温和存储温度范围):-55°C至+175°C
    - 热阻(RθJC):1.05°C/W
    - 热阻(RθJA):40°C/W(PCB安装),110°C/W(自由空气)

    产品特点和优势


    - 先进工艺技术:通过采用最先进的工艺技术,实现了每单位硅面积极低的导通电阻。
    - 超低导通电阻:典型导通电阻仅为5.5mΩ,从而大大减少了导通损耗。
    - 高温操作能力:能够承受高达175°C的工作温度,保证了在恶劣环境下的稳定运行。
    - 快速开关:具备快速的开关速度,有助于提高系统的整体效率。
    - 重复雪崩允许:设计允许重复雪崩,增强了可靠性。
    - 无铅:符合环保要求,不含铅。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC-DC转换器:这种MOSFET可以在高功率DC-DC转换器中作为开关元件使用,以减少功耗和提高效率。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中,这些MOSFET可以用于精确控制电机的转速和扭矩。
    使用建议
    - 散热设计:由于高功率应用中的热量产生,确保良好的散热设计非常重要。建议使用散热片和良好的通风来保持MOSFET在安全的温度范围内工作。
    - 并联使用:在高电流应用中,可以考虑并联多个MOSFET来分散电流,提高整体可靠性和稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些MOSFET具有广泛的兼容性,可以与其他标准组件一起使用。具体的封装和接口细节可以在数据表中找到。
    - 支持:制造商提供详细的文档和应用笔记,包括《AN-994》推荐的安装方法和焊点技术。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | MOSFET过热 | 确保有效的散热措施,如增加散热片或优化通风条件。 |
    | 导通电阻增大 | 检查MOSFET的工作环境温度是否超出规定范围,必要时进行外部冷却。 |
    | 雪崩现象导致损坏 | 避免长时间或过度的雪崩工作模式,使用合适的保护电路。 |

    总结和推荐


    总体评价:这款HEXFET® Power MOSFET凭借其极低的导通电阻、宽广的操作温度范围和高可靠性,使其成为高性能应用的理想选择。它特别适合于需要高效功率转换的场合。
    推荐程度:强烈推荐。对于需要高效率和高可靠性的应用来说,这款MOSFET是一个绝佳的选择。它的低导通电阻和快速开关特性使得其在各种工业和汽车应用中表现出色。

IRFR4104TRLPBF参数

参数
最大功率耗散 140W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@ 42A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.95nF@25V
栅极电荷 89nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 42A
配置 独立式
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

IRFR4104TRLPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR4104TRLPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR4104TRLPBF IRFR4104TRLPBF数据手册

IRFR4104TRLPBF封装设计

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9000+ $ 0.155 ¥ 1.2989
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