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IPL60R360P6SATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管 CoolMOS P6系列, Vds=650 V, 30 A, ThinPAK 5 x 6封装, 表面贴装, 5引脚
供应商型号: 2726061
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPL60R360P6SATMA1

IPL60R360P6SATMA1概述

    600V CoolMOS™ P6 Power Transistor IPL60R360P6S

    1. 产品简介


    CoolMOS™ P6系列是基于超级结(Super Junction, SJ)原理设计的一种高电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由英飞凌科技公司研发并推广。这一系列产品结合了领先SJ MOSFET供应商的经验和高级创新,旨在为高速开关应用提供高效的解决方案。CoolMOS™ P6系列特别适用于需要低损耗、高可靠性和易用性的应用场合。
    主要功能和应用领域:
    - 功能:极低的导通和开关损耗,高度抗浪涌电流能力,易于驱动。
    - 应用领域:PFC(功率因数校正)阶段、硬开关PWM(脉宽调制)阶段、谐振开关PWM阶段。典型应用场景包括个人电脑银盒(PC Silverbox)、适配器、液晶电视(LCD & PDP TV)、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)等。

    2. 技术参数


    以下是CoolMOS™ P6系列IPL60R360P6S的具体技术参数:
    - 最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 650V
    - 持续漏极电流 (ID): 7.1A (TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse): 30A (TC = 25°C)
    - 雪崩能量 (单脉冲) (EAS): 247mJ
    - 反向恢复时间 (trr): 257ns (VR = 400V, IF = 5.6A)
    - 静态特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.36Ω (VGS = 10V, ID = 4.5A, TJ = 25°C)
    - 输入电容 (Ciss): 1010pF (VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 47pF (VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz)
    - 热特性:
    - 结-壳热阻 (RthJC): 1.4°C/W
    - 结-环境热阻 (RthJA): 35°C/W (单层铜散热面积为70μm厚、6cm²)

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:极低的导通和开关损耗,能够显著提高效率,使开关电路更加紧凑、轻便且温度更低。
    - 抗浪涌能力:具备很高的共模浪涌承受能力。
    - 易驱动:便于驱动,不需要复杂的驱动电路。
    - 环保材料:无铅电镀,无卤素塑封化合物。
    - 工业级认证:符合JEDEC标准(J-STD 020和JESD 22)。

    4. 应用案例和使用建议


    根据技术手册,CoolMOS™ P6系列常用于PFC阶段、硬开关PWM阶段及谐振开关PWM阶段。例如,在适配器和电视的开关电源中,这些器件可以有效提升系统的效率和可靠性。
    使用建议:
    - 在多管并联使用时,建议在栅极使用铁氧体磁珠或者单独建立倒置的二极管阵列以改善热分布和电气性能。
    - 确保PCB设计合理,尤其是在散热方面,采用足够大的铜散热区域来降低热阻。

    5. 兼容性和支持


    该产品采用薄型PAK 5x6 SMD封装,标记为60P6360。它与多种设备和模块具有良好的兼容性,支持广泛的应用场景。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,用户可以在官方网站获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题解答,以下是一些可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题1:无法达到预期的开关速度。
    - 解决办法:检查驱动电阻 (RG) 设置是否合适。如需增加开关速度,可适当减小RG。

    - 问题2:系统过热。
    - 解决办法:确保良好的散热措施,增加散热片面积或采用更有效的冷却方法。

    7. 总结和推荐


    CoolMOS™ P6系列IPL60R360P6S凭借其出色的低损耗、高可靠性和易用性,成为一款非常优秀的功率MOSFET产品。它在提高系统效率、缩小体积和减轻重量等方面表现优异,适用于广泛的工业和消费电子应用。总体来看,这款产品非常适合需要高性能、高可靠性的应用场景,强烈推荐使用。
    希望以上信息对您有所帮助!如果您有任何疑问或需要进一步的信息,请随时联系。

IPL60R360P6SATMA1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 370µA
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 4.5A,10V
Id-连续漏极电流 11.3A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.01nF@100V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 600V
栅极电荷 22nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 89.3W(Tc)
长*宽*高 6mm*5mm*1.1mm
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPL60R360P6SATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPL60R360P6SATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1数据手册

IPL60R360P6SATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 6.8232
50+ ¥ 6.1136
250+ ¥ 6.0044
1000+ ¥ 5.8953
3000+ ¥ 5.8953
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