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ISZ0501NLSATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 30W(Tc) 2V@ 250µA 13.6nC@ 10 V 1个N沟道 25V 3.9mΩ@ 20A,10V 910pF@12V TDSON-8 贴片安装
供应商型号: ISZ0501NLSATMA1
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) ISZ0501NLSATMA1

ISZ0501NLSATMA1概述


    产品简介


    ISZ0501NLS OptiMOSTM 5 Power MOSFET, 25V
    ISZ0501NLS 是一款基于OptiMOSTM 5技术的25V功率MOSFET,专为充电器应用而设计。它采用了紧凑的PG-TSDSON-8封装,适用于高频率开关电源系统(SMPS)。该器件具备低导通电阻(RDS(on))和出色的门极电荷(Qg)性能,使其成为高效能电力电子系统的理想选择。

    技术参数


    主要性能参数
    | 参数名称 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 25 | V |
    | 最大导通电阻 (RDS(on)) | 3.1 | mΩ |
    | 持续漏极电流 (ID) | 40 | A |
    | 输出电荷 (QOSS) | 9.1 | nC |
    | 门极电荷 (QG) | 6.3 | nC |
    最大额定值
    | 参数名称 | 符号 | 值 | 单位 | 备注 |

    | 连续漏极电流 | ID | 40 | A | TC=25°C, VGS=10V |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | - | 160 | TC=25°C |
    | 击穿电流 | IAS | - | 20 | TC=25°C |
    | 击穿能量 | EAS | - | 20 | ID=20A, RGS=25Ω |
    | 栅源电压 | VGS | -16 | +16 | V |
    | 功率耗散 | Ptot | 2.1 | W | TA=25°C, RthJA=60K/W |
    | 工作温度 | Tj, Tstg | -55 | +150 | °C |
    热特性
    | 参数名称 | 符号 | 值 | 单位 | 备注 |

    | 热阻-结到壳体 (RthJC) | - | - | 4.1 | K/W |
    | 设备安装于PCB (RthJA) | - | - | 60 | K/W |

    产品特点和优势


    - 优化设计:专为充电器应用优化,非常适合高频率开关电源系统(SMPS)。
    - 低RDS(on):具有非常低的导通电阻(RDS(on)),特别是当VGS=4.5V时,RDS(on)低至3.1mΩ。
    - 高性能:低FOMQOSS和FOMQSW,适合高频应用。
    - 100%冲击击穿测试:确保产品的可靠性和稳定性。
    - 绿色环保:无铅镀层,符合RoHS标准,不含卤素。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 充电器应用:ISZ0501NLS可以用于智能手机、平板电脑或其他便携式设备的充电器中,提供高效的电源转换。
    - 高频开关电源:在需要高效率和高频率的工业应用中,如太阳能逆变器和电动汽车充电站。
    使用建议
    - 在使用ISZ0501NLS时,确保环境温度在-55°C到+150°C之间,以避免过热损坏。
    - 尽量降低工作温度,以提高MOSFET的寿命和可靠性。
    - 注意散热设计,尤其是对于高功率应用,以确保热稳定性和长期稳定性。

    兼容性和支持


    ISZ0501NLS与大多数标准的栅极驱动器兼容。此外,厂商提供了全面的技术支持,包括详细的数据手册、应用指南和技术文档。如有任何技术问题,可以通过erratum@infineon.com联系厂商。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机时无法启动 | 检查电源电压是否正确且稳定。 |
    | 运行过程中温度过高 | 改善散热设计,增加散热片或风扇。 |
    | 性能不稳定 | 确保驱动信号的质量,检查驱动电路。 |

    总结和推荐


    ISZ0501NLS是一款具有高可靠性和高性能的功率MOSFET,适用于多种高要求的应用场合。它的低RDS(on)和出色的电气特性使其在充电器和其他高频应用中表现出色。尽管成本可能略高于其他同类产品,但其卓越的性能和稳定性使其值得推荐使用。
    综上所述,ISZ0501NLS是一款值得信赖的功率MOSFET,无论是对于专业人士还是初学者,都是一个非常出色的选择。

ISZ0501NLSATMA1参数

参数
栅极电荷 13.6nC@ 10 V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3.9mΩ@ 20A,10V
Vds-漏源极击穿电压 25V
最大功率耗散 30W(Tc)
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 910pF@12V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TDSON-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ISZ0501NLSATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

ISZ0501NLSATMA1数据手册

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ISZ0501NLSATMA1封装设计

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