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IPT60R080G7XTMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 IPT60R系列, Vds=600 V, 29 A, HSOF-8封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 2224939
供应商: 海外现货
标准整包数: 2000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPT60R080G7XTMA1

IPT60R080G7XTMA1概述

    IPT60R080G7 MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IPT60R080G7 是一款基于 CoolMOS™ G7 SJ 功率器件的 MOSFET,专为高电流拓扑结构(如 PFC 至 3kW)设计。它结合了 C7 Gold 技术的优势、四引脚 Kelvin Source 配置和改进的热性能 TOLL 封装,提供了快速开关和高效率的可能。IPT60R080G7 主要用于计算、服务器、电信、不间断电源(UPS)和太阳能等高功率性能开关电源系统。

    2. 技术参数


    - 电压额定值: VDS @ Tj,max 为 650V。
    - 最大连续漏极电流: ID 为 18A。
    - 脉冲漏极电流: ID,pulse 为 83A。
    - 漏源导通电阻: RDS(on) 为 80mΩ。
    - 栅极电荷: Qg.typ 为 42nC。
    - 输入输出电容: Ciss 为 1640pF,Coss 为 34pF。
    - 反向恢复特性: 峰值反向恢复电流 Irrm 为 26A。
    - 绝缘耐压: VISO 无具体数值,单位为 V。
    - 最大热阻: RthJC 为 0.75°C/W,RthJA 为 62°C/W。

    3. 产品特点和优势


    - 出色的 FOM 指标: C7 Gold 的 FOM RDS(on)Qg 比前一代 C7 600V 提高了 15%,这使得切换速度更快,从而提高了效率。
    - 热性能优异: 使用 TOLL 封装和无铅芯片粘接工艺提升了热性能。
    - 更小的封装: 在相同的 TOLL 115mm² 封装下,RDS(on) 可达 28mΩ,优于之前的 D2PAK 封装。
    - 快速开关和低噪声: 内置的四引脚 Kelvin Source 和低寄生源电感(~1nH)提升了效率并减少了振铃效应。
    - 易于使用和高质标准: TOLL 封装易于使用,并且符合最高的质量标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 典型应用: 适用于 PFC 阶段和 PWM 阶段(TTF、LLC)的高功率/高性能 SMPS 系统,如计算、服务器、电信、UPS 和太阳能。
    - 使用建议: 当进行多 MOSFET 并联时,建议使用扼流圈或者单独的推拉组合以提高稳定性。此外,在使用过程中注意散热管理,避免过温损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: TOLL 封装与多种 PCB 设计兼容,便于 SMD 安装。并且该产品是 MSIL1 合规,完全无铅。
    - 支持和维护: 该产品已通过工业应用的 JEDEC 资格认证,并提供全面的技术支持和文档资源,如网页、应用注释和仿真模型。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1: 电压等级不足。
    - 解决方法: 确保在使用时不超过额定电压值。
    - 问题 2: 过高的漏极电流。
    - 解决方法: 使用外部散热措施,避免因过热而导致损坏。
    - 问题 3: 开关频率不稳定。
    - 解决方法: 确认电路设计中没有寄生电感影响。

    7. 总结和推荐


    总体来说,IPT60R080G7 MOSFET 在技术参数、应用范围和使用便利性方面表现卓越,适合用于高功率、高性能的电力转换应用。该产品的高效率和优异的热性能使其在市场上具备较强的竞争力。因此,强烈推荐在需要高效、可靠电力转换的场合中使用该产品。

IPT60R080G7XTMA1参数

参数
通道数量 1
Id-连续漏极电流 29A
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 9.7A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 167W(Tc)
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 600V
栅极电荷 42nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.64nF@400V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 490µA
通用封装 HSOF-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPT60R080G7XTMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPT60R080G7XTMA1数据手册

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IPT60R080G7XTMA1封装设计

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