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IPT60R040S7XTMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=600 V, 13 A, HSOF-8封装, 表面贴装
供应商型号: 3577360
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPT60R040S7XTMA1

IPT60R040S7XTMA1概述

    # 600V CoolMOS™ SJ S7 Power Device

    产品简介


    基本信息
    IPT60R040S7是一款采用CoolMOS™ SJ S7技术的电子元器件,专为低频开关应用设计。该产品具备高能效和低成本的优势,广泛应用于固态继电器、断路器设计以及交流电源整流等领域。
    主要功能
    - 高电压开关:能够承受高达600V的电压。
    - 高能效:RDS(on)仅为0.040Ω(典型值),在同类产品中处于领先地位。
    - 快速响应:优化的Kelvin Source引脚提升高频下的切换性能。
    应用领域
    - 固态继电器和断路器设计
    - 交流电源整流,如计算、通信、不间断电源(UPS)和太阳能系统中的应用

    技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 备注 |
    ||
    | 漏极电流 | ID | A | - | 13 | - | 结温(Tj)最大值为150°C |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | A | - | 207 | - | 环境温度(TC)为25°C |
    | 击穿能量(单脉冲) | EAS | mJ | - | 159 | - | 漏极电流ID=2.8A,VDD=50V |
    静态特性
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 备注 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | V | - | 600 | - | VGS=0V,ID=1mA |
    | 门限电压 | V(GS)th | V | 3.5 | 4.0 | 4.5 | VDS=VGS,ID=0.79mA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | Ω | 0.036 | 0.040 | 0.084 | VGS=12V,ID=13A,结温(Tj)为25°C |
    动态特性
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 备注 |
    ||
    | 输入电容 | CISS | pF | - | 3127 | - | VGS=0V,VDS=300V,频率(f)为250kHz |
    | 输出电容 | COSS | pF | - | 50 | - | VGS=0V,VDS=300V,频率(f)为250kHz |

    产品特点和优势


    特点
    - 使用CoolMOS™ SJ S7技术实现最小化面积内的低阻导通(RDS(on)为22mΩ)
    - 在低频开关应用中具有优化的价格性能比
    - 能够处理高峰值电流
    - Kelvin Source引脚改善高电流下的切换性能
    - TOLL封装符合MSL1标准,全无铅设计,易于视觉检查
    优势
    - 最小化传导损耗,无需散热器
    - 增强系统性能
    - 设计更加紧凑,便于集成
    - 较低的物料清单(BOM)成本或总拥有成本(TCO),寿命更长

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 固态继电器和断路器设计:提高系统的可靠性和抗震动能力。
    - 交流电源整流:例如在计算、电信、不间断电源(UPS)和太阳能系统中使用。
    使用建议
    - 为了在四端MOSFET器件并联时获得最佳效果,推荐将栅极电阻放置于驱动源而不是栅极。

    兼容性和支持


    兼容性
    IPT60R040S7的TOLL封装符合MSL1标准,可以与其他MSL1等级的电子元件轻松兼容。
    支持和服务
    制造商提供详细的文档、应用程序指南和技术支持,包括模拟模型和设计工具。相关链接请参见技术手册附录A。

    常见问题与解决方案


    常见问题与解决办法
    1. 如何在高电流下优化切换性能?
    - 使用Kelvin Source引脚以确保稳定的栅极信号,从而减少寄生电感的影响。
    2. 如何在并联MOSFET时正确配置栅极电阻?
    - 将栅极电阻放置于驱动源而不是栅极,以避免由于寄生电感引起的振铃现象。

    总结和推荐


    综合评估
    IPT60R040S7凭借其卓越的能效和高性能,在多种应用中表现出色。其低传导损耗和紧凑的设计使其成为众多高可靠性要求场合的理想选择。特别是对于需要长期稳定运行的应用,该产品展示了优秀的性价比。
    推荐结论
    鉴于其优异的性能和广泛的适用性,强烈推荐使用IPT60R040S7。无论是固态继电器还是高功率转换器,该产品都能显著提升系统性能并降低总体成本。

IPT60R040S7XTMA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.127nF@300V
Id-连续漏极电流 13A
配置 独立式
栅极电荷 83nC@ 12 V
最大功率耗散 245W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 13A,12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 790µA
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 HSOF-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPT60R040S7XTMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPT60R040S7XTMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPT60R040S7XTMA1 IPT60R040S7XTMA1数据手册

IPT60R040S7XTMA1封装设计

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