处理中...

首页  >  产品百科  >  IPB054N08N3GATMA1

IPB054N08N3GATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=80 V, 80 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: UA-IPB054N08N3GATMA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB054N08N3GATMA1

IPB054N08N3GATMA1概述

    IPP057N08N3 G/IPI057N08N3 G/IPB054N08N3 G:IP™3 功率晶体管技术手册

    产品简介


    IPP057N08N3 G/IPI057N08N3 G/IPB054N08N3 G 是一款高效率的功率晶体管,属于 Infineon Technologies AG 的 IP™3 系列。这些晶体管主要用于需要高电流和高电压的应用领域,如电源转换、电机控制和逆变器系统。其核心特性使其成为工业、汽车和消费电子市场中不可或缺的组件。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 最大漏源电压(VDS):100V
    - 最大栅极电压(VG):±20V
    - 漏极电流(ID):80A(持续),100A(脉冲)
    - 最大结温(Tj):150°C
    - 热阻(RθJC):2°C/W
    - 电气特性
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):2mΩ(最大)
    - 输出电容(COSS):100pF(最大)
    - 转移特性曲线(IDS vs VGS)
    - 动态特性
    - 开关损耗(Switching Losses)
    - 反向恢复时间(TRR)
    - 门电荷(Qg)

    产品特点和优势


    IPP057N08N3 G/IPI057N08N3 G/IPB054N08N3 G 在同类产品中具备多个独特优势:
    - 低导通电阻:2mΩ(最大),有效降低功耗,提高能效。
    - 高耐压能力:最高可达100V,适用于多种高压应用场景。
    - 高可靠性:最大结温达到150°C,确保在恶劣环境下也能稳定运行。
    - 卓越的热管理:较低的热阻(RθJC),提高散热性能,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换器:这些晶体管常用于各类电源转换器中,以实现高效且可靠的电压转换。
    - 电机驱动器:在工业自动化领域,它们可用于电机驱动器,提供精准控制和高效能耗比。
    - 逆变器:尤其适用于光伏逆变器等新能源领域,确保高效率能量转换。
    使用建议:
    - 在设计应用电路时,需注意散热设计,避免因过热导致性能下降或损坏。
    - 遵循推荐的栅极驱动电压范围,以确保晶体管的长期可靠运行。

    兼容性和支持


    这些晶体管采用多种封装形式(PG-TO263-3、PG-TO262-3、PG-TO220-3),便于集成到不同类型的电路板中。此外,Infineon 提供全面的技术支持,包括详细的文档、设计指南和客户支持服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高电流应用中,晶体管温度过高。
    - 解决方案:增加外部散热片或改进散热路径,确保良好的热管理。
    - 问题:开关过程中出现明显的噪音。
    - 解决方案:检查电路布局,减少杂散电感,确保适当的门极驱动设计。
    - 问题:在长时间工作后发现性能下降。
    - 解决方案:检查是否存在过载或过热情况,必要时调整工作条件或进行维护。

    总结和推荐


    总体而言,IPP057N08N3 G/IPI057N08N3 G/IPB054N08N3 G 是一款高性能的功率晶体管,具有出色的热管理和电气特性。它非常适合应用于需要高效率和高可靠性的各种场合,是众多设计师的优选。强烈推荐在高压大电流应用场景中使用此产品。对于需要更高性能和更严格标准的应用,可考虑结合其他辅助元件或进行额外的散热设计以优化性能。

IPB054N08N3GATMA1参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 150W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 5.4mΩ@ 80A,10V
栅极电荷 69nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 90µA
Id-连续漏极电流 80A
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.75nF@40V
配置 独立式
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPB054N08N3GATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB054N08N3GATMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB054N08N3GATMA1 IPB054N08N3GATMA1数据手册

IPB054N08N3GATMA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 0.6475 ¥ 5.4261
3000+ $ 0.6163 ¥ 5.1642
库存: 7000
起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 5426.1
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0