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IPB80N06S4L05ATMA2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS T2系列, Vds=60 V, 80 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 8268998
供应商: 海外现货
标准整包数: 20
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB80N06S4L05ATMA2

IPB80N06S4L05ATMA2概述


    产品简介


    IPB80N06S4L-05 是一款来自 Infineon Technologies 的 N沟道增强型功率晶体管,属于OptiMOS®-T2系列。它广泛应用于汽车、工业控制和消费电子等领域,适用于需要高电流、低电阻和高性能的应用场景。这些特性使得它成为电机驱动、开关电源转换器和电池管理系统的理想选择。

    技术参数


    - 基本电气特性:
    - 连续漏极电流(Tc=25°C,Vgs=10V):80 A
    - 漏极脉冲电流(Tc=25°C):320 A
    - 击穿电压(VDS):60 V
    - 门限电压(VGS(th)):1.2 ~ 2.2 V
    - 导通电阻(RDS(on)):4.2 ~ 5.1 mΩ(Vgs=10V,Id=80A)
    - 热特性:
    - 结到外壳热阻(RthJC):1.4 K/W
    - 结到环境热阻(RthJA):62 K/W(引脚封装)
    - 最大功耗(Ptot):107 W(Tc=25°C)
    - 其他电气特性:
    - 反向恢复时间(trr):36 ns
    - 门电荷(Qg):83 ~ 110 nC
    - 输出电容(Coss):1350 ~ 1755 pF
    - 输入电容(Ciss):6290 ~ 8180 pF

    产品特点和优势


    - 高效能:IPB80N06S4L-05 具有较低的导通电阻,确保在高电流条件下具有出色的能效,显著降低能耗。
    - 宽温度范围:能够在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内正常工作,满足各种恶劣环境需求。
    - 高可靠性:AEC Q101认证确保其在汽车应用中的高可靠性,100%雪崩测试进一步增强了其耐用性。
    - 环保:符合RoHS标准,绿色产品,对环境友好。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电动汽车(EV):作为逆变器中的关键组件,IPB80N06S4L-05 能够有效地管理电力流动,提高电池效率。
    - 工业自动化:用于驱动电机和控制电路,提升系统稳定性和可靠性。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计,避免因过热导致的性能下降。
    - 使用合适的驱动电路,以确保稳定的栅极电压,防止误触发或无法正常导通。

    兼容性和支持


    IPB80N06S4L-05 可以轻松集成到现有系统中,与各种其他电子元器件或设备兼容。Infineon Technologies 提供全面的技术支持,包括设计指南、样片申请和技术文档,帮助用户快速集成和优化产品应用。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时出现不稳定现象。
    - 解决办法:检查栅极驱动电路是否正确连接,确保提供稳定的栅极电压。

    - 问题2:导通电阻偏高。
    - 解决办法:确认工作温度在推荐范围内,检查焊接质量是否良好。

    总结和推荐


    综合评估:
    IPB80N06S4L-05 是一款非常出色的 N沟道增强型功率晶体管,凭借其高效率、宽温度范围和卓越的可靠性,在汽车、工业控制和消费电子领域表现出色。无论是对性能要求极高的应用还是严苛的工作环境,它都能提供可靠的支持。
    推荐使用:
    我们强烈推荐使用IPB80N06S4L-05。无论是针对新项目还是替换旧设备,它的优异表现都使其成为市场上极具竞争力的选择。

IPB80N06S4L05ATMA2参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 5.1mΩ@ 80A,10V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 110nC@ 10 V
最大功率耗散 107W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 60µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 16V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.18nF@25V
Id-连续漏极电流 80A
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPB80N06S4L05ATMA2厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB80N06S4L05ATMA2数据手册

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IPB80N06S4L05ATMA2封装设计

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