处理中...

首页  >  产品百科  >  IPD50N04S3-09

IPD50N04S3-09

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 63W 20V 20nC@ 10V 1个N沟道 40V 9mΩ@ 10V 50A 1.35nF@ 25V TO-252 贴片安装,黏合安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: Q-IPD50N04S3-09
供应商: 期货订购
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD50N04S3-09

IPD50N04S3-09概述

    IPD50N04S3-09 OptiMOS®-T Power Transistor 技术手册解析

    产品简介


    IPD50N04S3-09 是一种由 Infineon Technologies 生产的 N 沟道增强模式功率晶体管。它是一款适用于汽车应用的功率开关,具有出色的电气特性和高可靠性。该产品广泛应用于电源管理、电机控制、电池管理系统等领域。

    技术参数


    以下是 IPD50N04S3-09 的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 连续漏极电流 | ID | TC=25°C, VGS=10V | A 50
    | 冲击漏极电流 | ID,pulse | TC=25°C | A 200
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | ID=25A | mJ 140
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS A 50
    | 栅源电压 | VGS V | -20 20 |
    | 功率耗散 | Ptot | TC=25°C | W 63
    | 工作温度和存储温度 | Tj, Tstg °C | -55 175 |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=1mA | V 40
    | 零栅源电压漏极电流 | IDSS | VDS=40V, VGS=0V, Tj=25°C | µA 1 |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | VGS=20V, VDS=0V | nA 100 |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A | mΩ 7.5 | 9.0 |

    产品特点和优势


    - 汽车级认证:AEC Q101 认证,适合汽车应用。
    - 高性能封装:MSL1 封装至 260°C 峰值回流温度,支持高达 175°C 的工作温度。
    - 环保材料:符合 RoHS 标准,绿色封装。
    - 高可靠性:100% 雪崩测试确保高可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:用于电源管理和电机控制系统中的开关电路。
    - 使用建议:为了充分发挥其性能,建议在设计电路时采用合理的散热措施,以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种电源管理和电机控制电路。
    - 支持:Infineon Technologies 提供全面的技术支持和维护服务,包括产品文档和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:工作温度过高导致性能下降。
    - 解决方案:通过增加散热片或改进散热设计来降低工作温度。

    - 问题:频繁的冲击漏极电流导致过热。
    - 解决方案:限制冲击漏极电流,并增加适当的保护电路。

    总结和推荐


    IPD50N04S3-09 是一款出色的 N 沟道增强模式功率晶体管,适用于汽车和工业应用。其卓越的电气特性和高可靠性使其在市场上具有显著的竞争优势。我们强烈推荐此产品用于需要高可靠性和高性能的场合。
    以上是对 IPD50N04S3-09 技术手册内容的全面解析,希望对您的选型和设计提供有价值的参考。

IPD50N04S3-09参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.35nF@ 25V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 63W
配置 独立式
栅极电荷 20nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPD50N04S3-09厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD50N04S3-09数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N04S3-09 IPD50N04S3-09数据手册

IPD50N04S3-09封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25000+ $ 0.98 ¥ 8.1634
75000+ $ 0.882 ¥ 7.3471
125000+ $ 0.784 ¥ 6.5307
250000+ $ 0.735 ¥ 6.1226
库存: 25000
起订量: 25000 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:25000
合计: ¥ 204085
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504