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IPN80R1K2P7ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=800 V, 4.5 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: IPN80R1K2P7ATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 20
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPN80R1K2P7ATMA1

IPN80R1K2P7ATMA1概述

    IPN80R1K2P7: 800V CoolMOS™ P7 Power Transistor

    1. 产品简介


    IPN80R1K2P7 是一款由 Infineon Technologies 生产的 800V CoolMOS™ P7 功率晶体管。这款晶体管结合了卓越的性能和易用性,是超级结技术的重要创新成果。CoolMOS™ P7 系列是目前市场上最先进的 800V 超级结技术之一,广泛应用于硬开关和软开关反激拓扑结构,如 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频设备、辅助电源及工业电源等场合。此外,它也适用于消费类应用中的功率因数校正(PFC)阶段及太阳能系统。

    2. 技术参数


    以下是 IPN80R1K2P7 的关键技术和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 单位 | 典型值 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | V | 800 |
    | 门限电压 | VGS(th) | V | 3 |
    | 最大漏极电流 | ID | A | 4.5 |
    | 最大脉冲漏极电流 | ID,pulse | A | 11 |
    | 最大耗散功率 | Ptot | W | 6.8 |
    | 热阻(结到引脚) | RthJS | °C/W | 18.3 |
    | 逆向恢复时间 | trr | ns | 580 |
    | 峰值逆向恢复电流 | Irrm | A | 9 |

    3. 产品特点和优势


    IPN80R1K2P7 体现了多项独特的性能优势:
    - 最佳性能:该晶体管具有出色的 FOM(RDS(on) Eoss)性能,并且 Qg、Ciss 和 Coss 等参数都得到了显著优化。
    - 易于驱动和并联:V(GS)th 仅为 3V,且最小的 V(GS)th 变异仅 ±0.5V,使其驱动更加容易。
    - ESD 保护集成:内置的齐纳二极管提供卓越的静电放电保护,提高了生产良品率。
    - 全面优化的设计:整个产品系列经过全面优化,适用于各种工业应用。

    4. 应用案例和使用建议


    IPN80R1K2P7 在多种应用中有出色表现,例如:
    - LED 照明:其高效率和可靠性使它成为理想选择。
    - 低功率充电器和适配器:能够实现更高的功率密度设计,减少物料清单(BOM)成本。
    - 音频设备:具有更好的 EMI 性能,有助于提高整体系统的稳定性。
    建议用户在并联 MOSFET 时使用磁珠或独立的总极组以优化性能。

    5. 兼容性和支持


    IPN80R1K2P7 与现有标准电路板和设计高度兼容。Infineon Technologies 提供详尽的技术支持文档、应用笔记和在线工具,帮助用户加速开发进程。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 如何处理 MOSFET 并联时的电流不均衡问题?
    - 解答: 使用磁珠或独立的总极组来平衡并联 MOSFET 之间的电流。
    - 问题: 在高温环境下如何确保晶体管的稳定运行?
    - 解答: 通过良好的散热设计(如增加铜面积或使用散热片)来保证热管理。

    7. 总结和推荐


    IPN80R1K2P7 是一款高性能的 800V CoolMOS™ P7 功率晶体管,适合各种高功率应用。它凭借最佳的 FOM 性能、优秀的热管理能力和易于驱动的特点,在多个应用领域表现出色。强烈推荐在需要高效率和可靠性解决方案的应用中使用。
    如果您正在寻找可靠的功率解决方案,IPN80R1K2P7 将是一个绝佳的选择。

IPN80R1K2P7ATMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@ 1.7A,10V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 300pF@500V
Id-连续漏极电流 4.5A
栅极电荷 11nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 6.8W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 80µA
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,卷带包装

IPN80R1K2P7ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPN80R1K2P7ATMA1数据手册

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IPN80R1K2P7ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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760+ ¥ 5.749
1500+ ¥ 5.5767
3000+ ¥ 3.214
15000+ ¥ 3.1503
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