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IRFR5505TRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon P沟道MOS管, Vds=55 V, 18 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: SCE-IRFR5505PBF-GURT
供应商: 海外现货
标准整包数: 50
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR5505TRLPBF

IRFR5505TRLPBF概述


    产品简介


    本电子元器件为IRFU120 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型MOSFET。该产品主要用于开关电源、电机驱动及其它高效率电源转换应用。IRFU120具有低导通电阻、高耐压及快速开关速度等特点,广泛应用于工业自动化、通信设备、消费电子等领域。

    技术参数


    - 基本特性
    - 制造商: International Rectifier
    - 封装形式: DPAK
    - 无铅/无卤素: 是
    - 工作温度范围: -55°C ~ +150°C
    - 电气特性
    - 导通电阻 (Rds(on)): 1.63 mΩ (最大)
    - 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 2.5V ~ 4.0V
    - 击穿电压 (Vds): 120V
    - 连续漏电流 (Ids): 50A
    - 栅极电荷 (Qg): 12.1 nC
    - 工作频率: 高达1 MHz
    - 开关特性
    - 开关时间 (ton/tdoff): <50 ns
    - 反向恢复时间 (trr): <8 ns

    产品特点和优势


    IRFU120具备以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:提供更低的功率损耗,适用于高效率的电源转换。
    - 高开关频率:允许在更高频率下工作,减少外部组件数量,节省空间。
    - 快速开关特性:显著降低开关损耗,提高能效。
    - 无铅/无卤素设计:符合环保要求,便于回收处理。
    这些特性使得IRFU120在市场上具备很高的竞争力,尤其适用于对效率和热管理有较高要求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFU120可广泛用于各种应用场景,如:
    - 开关电源:作为主开关器件,可以实现高效稳定的输出。
    - 电机驱动电路:为电机提供高效的驱动能力,减少发热。
    - 通信设备:为通信设备中的电源模块提供高效稳定的供电。
    使用建议
    - 散热管理:IRFU120在高功率工作时会产生较多热量,需要良好的散热设计,如采用大尺寸散热片或散热风扇。
    - PCB布局:确保IRFU120的引脚引出线短且直,以减少寄生电感和电容,避免信号干扰。
    - 驱动电路:考虑采用同步整流电路,配合IRFU120使用,可以进一步提高整体能效。

    兼容性和支持


    IRFU120 MOSFET与常见的DPAK封装的同类产品兼容,可以直接替换大部分现有应用中的MOSFET。国际整流器公司提供详尽的技术文档和客户支持服务,确保用户能够顺利集成和使用该产品。此外,对于复杂应用需求,还可以联系Infineon Technologies获取更多定制化支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何判断IRFU120是否损坏?
    解决方案:使用万用表测量栅极-源极之间的电阻。正常情况下,应该接近无穷大。如果阻值异常小,则可能是内部短路。
    问题2:如何选择合适的栅极驱动电压?
    解决方案:推荐使用10V的栅极驱动电压。更高的电压可以缩短开关时间,但可能导致栅极击穿,因此必须保证驱动电压不超过制造商规定的最大值。

    总结和推荐


    IRFU120 MOSFET凭借其低导通电阻、高开关频率和出色的热性能,在多种应用中表现出色。适合用于对能效和热管理有严格要求的高可靠性应用场景。综上所述,我们强烈推荐使用IRFU120 MOSFET,相信它能为您的设计带来显著的优势。

IRFR5505TRLPBF参数

参数
最大功率耗散 57W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 32nC@ 10 V
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 55V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 650pF@25V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@ 9.6A,10V
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 DPAK,TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

IRFR5505TRLPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR5505TRLPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR5505TRLPBF IRFR5505TRLPBF数据手册

IRFR5505TRLPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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