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IRFR2905ZTR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 110W(Tc) 20V 4V@ 250µA 44nC@ 10 V 1个N沟道 55V 14.5mΩ@ 36A,10V 1.38nF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: IRFR2905ZTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR2905ZTR

IRFR2905ZTR概述


    产品简介


    产品类型:IRFR2905Z 和 IRFU2905Z 是国际整流器公司的 HEXFET® 功率 MOSFET 系列成员,专为汽车和其他广泛应用设计。
    主要功能:
    - 高级工艺技术:采用最新的加工技术,实现了极低的每硅面积导通电阻。
    - 超低导通电阻(RDS(on) = 14.5mΩ)。
    - 高速开关:具备快速开关性能。
    - 高工作温度:能够在高达 175°C 的结温下工作。
    - 重复雪崩容限:允许雪崩能量达到最高工作温度。
    应用领域:
    - 汽车应用:如发动机控制系统、ABS系统、电动助力转向等。
    - 工业控制:电机驱动、电源转换、电池管理系统等。
    - 消费电子:充电器、电源适配器等。

    技术参数


    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | VDSS | V | 55
    | RDS(on) | mΩ 14.5
    | ID | A 42
    | 峰值脉冲电流 (IDM)| A 240
    | 极限功率 (PD) | W 958
    | 门源电压 (VGS) | V | ±20
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | mJ 250
    | 反复雪崩能量 (EAR) | mJ 300
    | 工作结温和存储温度范围 | °C | -55 175 |

    产品特点和优势


    1. 高性能:极低的导通电阻(14.5mΩ),确保了高效能电能传输。
    2. 宽工作温度范围:能够在极端环境下(-55°C 至 175°C)稳定运行。
    3. 高可靠性:支持重复雪崩,增强了在高压下的耐用性和可靠性。
    4. 快开关速度:快速开关特性适用于高频工作场合。
    5. 兼容性强:适用于多种电子设备和电路,具有广泛的适用性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车发动机控制系统:需要承受高温和高负载的环境,对 MOSFET 的性能要求较高。
    - 电动自行车控制器:需要小巧、轻便且能够快速响应的 MOSFET,IRFR2905Z 可以提供优异的电流处理能力和快速开关特性。

    使用建议
    - 选择合适的驱动电阻:为了获得最佳的开关性能,建议选用适当的驱动电阻(RG),以确保驱动电流和开关时间在理想范围内。
    - 散热管理:由于其较低的工作温度限制,务必合理规划散热设计,以防止过热影响设备寿命。
    - 保护电路设计:针对高电流环境,设计可靠的保护电路,避免瞬态冲击导致损坏。

    兼容性和支持


    - 封装形式:D-Pak 和 I-Pak 封装形式,方便安装和调试。
    - 厂商支持:国际整流器公司提供详细的应用笔记和技术支持文档,便于用户了解其性能特性和正确使用方法。
    - 可与其他设备兼容:适用于各种标准电路板和相关接口。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:长时间工作导致发热严重。
    - 解决方法:使用散热片或其他散热措施,提高散热效果,确保正常工作温度范围。
    2. 问题:开关损耗较大。
    - 解决方法:选择更低的 RDS(on) 和适当的驱动电阻,以减少开关损耗。
    3. 问题:瞬态响应不佳。
    - 解决方法:确保电路设计充分考虑寄生电感和电容的影响,使用滤波电路改善瞬态响应。

    总结和推荐


    总结:IRFR2905Z 和 IRFU2905Z 是面向高性能应用的理想选择。它们具备高效率、低导通电阻、快速开关等优势,尤其适合在严苛环境中工作。这些 MOSFET 以其出色的可靠性和稳定性在汽车和工业应用中备受青睐。
    推荐:鉴于其卓越的性能和广泛的应用场景,强烈推荐在对电流传输和开关性能要求较高的电子设备中使用 IRFR2905Z 和 IRFU2905Z。无论是汽车控制系统还是工业自动化设备,这款 MOSFET 都是您的理想选择。

IRFR2905ZTR参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.38nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 14.5mΩ@ 36A,10V
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 55V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 110W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
栅极电荷 44nC@ 10 V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRFR2905ZTR厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR2905ZTR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR2905ZTR IRFR2905ZTR数据手册

IRFR2905ZTR封装设计

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