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IRL40B212

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 StrongIRFET系列, Vds=40 V, 164 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2576893
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRL40B212

IRL40B212概述

    # IRL40B212/IRL40S212 强固型增强Power MOSFET 技术手册解析

    一、产品简介


    IRL40B212/IRL40S212 是由国际整流器公司(International Rectifier)推出的增强型HEXFET Power MOSFET,具有逻辑电平驱动能力,适合广泛的应用场景。这些MOSFET特别设计用于高压、高频的电力转换应用,广泛应用于无刷直流电机(BLDC)、有刷电机、同步整流、直流/直流转换器、逆变器等领域。其产品系列包括TO-220AB和D2-Pak两种封装形式,分别提供管装(Tube)和卷带(Tape and Reel)包装方式,以满足不同的客户生产需求。
    应用领域:
    - 刷式电机驱动
    - 无刷直流电机驱动
    - 电池供电电路
    - 半桥和全桥拓扑结构
    - 同步整流电路
    - 谐振模式电源供应
    - 或门(OR-ing)和冗余电源开关
    - 直流/直流和交流/直流转换器
    - 直流/交流逆变器

    二、技术参数


    以下是IRL40B212/IRL40S212的主要技术规格和参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDSS | 40 V |
    | RDS(on) 1.5 | 1.9 | mΩ |
    | ID(Silicon Limited) 254 | A |
    | ID(Package Limited) 195 | A |
    | RθJC 0.65 | °C/W |
    | RθJA 62 | °C/W |
    | VGS | ±20 V |
    此外,该产品还支持脉冲电流和重复击穿电流高达990A,最高功率耗散达231W。具备良好的热阻性能和高可靠性,在各种极端工作环境下表现稳定。

    三、产品特点和优势


    1. 逻辑电平驱动优化:适用于低至3.25V的门极驱动电压,大幅降低控制器的复杂度。
    2. 鲁棒性增强:改善了门极、雪崩及动态dv/dt的耐久性。
    3. 全面测试参数:包括电容特性及雪崩安全工作区(SOA)的完整验证。
    4. 快速恢复特性:增强的体二极管dv/dt和di/dt能力,适合高频应用。
    5. 环保合规:完全符合RoHS标准,无卤素设计。

    四、应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池供电电路:在便携式设备中作为高效开关元件,减少功耗并延长电池寿命。
    - 逆变器系统:支持高效能逆变器设计,实现更高的效率和更低的热损耗。
    使用建议:
    1. 在高温环境中使用时,建议采用外部散热片,确保散热效果最佳。
    2. 对于高频应用,合理选择驱动电路参数,减少开关损耗。
    3. 定期监测器件温度,避免长时间过载运行。

    五、兼容性和支持


    IRL40B212/IRL40S212支持广泛的电源管理和控制设备,且所有型号均通过工业级认证(JESD47F)。国际整流器提供了详尽的技术文档和支持服务,包括Datasheet反馈机制和在线资源中心,为用户提供全面的支持。

    六、常见问题与解决方案


    | 常见问题 | 解决方案 |

    | 短时间内发热严重 | 增加散热措施,确保良好的热管理 |
    | 电流限制不满足设计要求 | 选择更高等级的MOSFET,如更大电流容量的型号 |
    | 高频切换时出现异常噪声 | 检查电路设计,优化滤波元件 |

    七、总结和推荐


    IRL40B212/IRL40S212凭借其优异的性能、出色的鲁棒性和广泛应用的支持,成为高性能电力转换的理想选择。其逻辑电平驱动和高可靠性使其在各种工业应用中具有明显的优势。强烈推荐使用这款MOSFET,特别是在对高效能、紧凑设计和环境保护有较高要求的场景中。

IRL40B212参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.32nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 150µA
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 231W(Tc)
配置 独立式
Id-连续漏极电流 195A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.9mΩ@ 100A,10V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 1
栅极电荷 137nC@ 4.5V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IRL40B212厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRL40B212数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRL40B212 IRL40B212数据手册

IRL40B212封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 3.8192 ¥ 31.967
10+ $ 3.4359 ¥ 28.7585
100+ $ 2.7551 ¥ 23.0604
500+ $ 2.2718 ¥ 19.0149
1000+ $ 1.9205 ¥ 16.0747
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