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IRFHM830TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 21 A, PQFN 3.3mm x 3.3mm封装, 通孔安装
供应商型号: 30C-IRFHM830TRPBF PQFN-8(3.3X3.3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFHM830TRPBF

IRFHM830TRPBF概述


    产品简介


    电子元器件:功率 MOSFET
    产品类型:IRFHM830PbF 是一种 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高性能电力转换系统设计。它采用PQFN 3.3 x 3.3 mm的小型封装,适用于电池驱动的直流电机逆变器和其他需要高效率、低功耗的应用场合。
    主要功能:具备超低导通电阻(RDS(on) < 3.8 mΩ)和高电流处理能力(最大连续漏极电流 ID 为77 A),可以显著降低功率损耗,提高系统效率。该器件还具有良好的热管理能力和易于制造的行业标准引脚布局。
    应用领域:广泛应用于电池驱动的直流电机逆变器、服务器电源、汽车电子、工业自动化等领域。

    技术参数


    - 最高击穿电压 VDS: 30 V
    - 最大漏源导通电阻 RDS(on): ≤ 3.8 mΩ (@ VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 Qg: 15 nC (典型值)
    - 栅极电阻 Rg: 2.5 Ω (典型值)
    - 最大连续漏极电流 ID (@ TC(Bottom) = 25°C): 77 A
    - 最大功率耗散 PD (@TC(Bottom) = 25°C): 37 W
    - 温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 热阻: RθJC (Bottom) = 3.4°C/W, RθJC (Top) = 37°C/W
    - 存储温度范围 TSTG: -55°C 至 +150°C
    - 单脉冲雪崩能量 EAS: 82 mJ (热限制)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: RDS(on) < 3.8 mΩ,在 10V 的栅源电压下达到该数值,从而显著降低了导通损耗。
    - 低热阻: 管芯与印刷电路板的热阻小于 3.4°C/W,提高了热消散效率。
    - 100% 栅极电阻测试: 增强了可靠性。
    - 低剖面设计: 小于 1.0 mm,提升了功率密度。
    - 行业标准引脚布局: 兼容多供应商的兼容性。
    - 环保: 符合 RoHS 标准,不含铅、溴和卤素。
    - 工业认证: MSL1 和工业认证提高了可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池驱动的直流电机逆变器: IRFHM830PbF 在电池驱动的直流电机逆变器中扮演着关键角色,提供高效的能量转换,满足高频率开关的需求。

    使用建议
    - 热管理: 由于该器件具有低热阻,合理的设计应考虑 PCB 的散热路径,以确保器件正常工作。例如,可以通过添加散热器或增大 PCB 走线面积来优化散热。
    - 栅极驱动: 推荐使用合适的栅极电阻(Rg = 2.5 Ω)以确保可靠的开关性能,避免过高的栅极电荷造成的能耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRFHM836 IRFHM830PbF 与现有的表面贴装技术兼容,便于制造。此外,其行业标准的引脚布局增强了与其他制造商组件的互换性。
    - 支持: Infineon 提供详细的技术文档和应用笔记(如 AN-1136 和 AN-1154),帮助用户进行安装和维护。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择适当的栅极电阻?
    - 解决方案:根据推荐值,栅极电阻 Rg = 2.5 Ω,有助于稳定开关性能并减少能耗。
    2. 问题:器件在高温下的性能如何?
    - 解决方案:在 -55°C 至 +150°C 的宽广温度范围内,确保器件依然能保持高效稳定的性能。
    3. 问题:雪崩能量是否会损坏器件?
    - 解决方案:该器件经过设计,能够承受高达 82 mJ 的单脉冲雪崩能量,但必须在设计时考虑热限制因素。

    总结和推荐


    IRFHM830PbF N 沟道增强型功率 MOSFET 具备优秀的导通特性和热管理能力,适合应用于各种高效率电力转换系统。其小尺寸和高可靠性使其成为电池驱动系统的理想选择。基于上述分析,强烈推荐该产品用于对高效率和可靠性的需求较高的应用场合。

IRFHM830TRPBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 21A,40A
最大功率耗散 2.7W(Ta),37W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.155nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.8mΩ@ 20A,10V
通道数量 1
配置 独立式quaddraintriplesource
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 50µA
栅极电荷 31nC@ 10 V
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*900μm
通用封装 PQFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFHM830TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFHM830TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF数据手册

IRFHM830TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.9322
100+ ¥ 2.35
1000+ ¥ 2.0913
2000+ ¥ 1.9835
4000+ ¥ 1.8865
24000+ ¥ 1.8757
52000+ ¥ 1.8649
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