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IRFB4510PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 62 A, TO-220AB封装, 通孔安装
供应商型号: IRFB4510PBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFB4510PBF

IRFB4510PBF概述

    HEXFET Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    HEXFET Power MOSFET(以下简称HEXFET MOSFET)是一种广泛应用于开关电源、不间断电源和高速功率转换系统的高性能电子元器件。它具备显著的鲁棒性、出色的电容特性和反向恢复能力,且为无铅设计,符合现代环保标准。该产品特别适用于高频硬开关电路及高效率同步整流应用。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 持续漏极电流(硅限制):ID(TC = 25°C)时可达62A,ID(TC = 100°C)时可达44A。
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):最高可达300A。
    - 最大功耗(PD,TC = 25°C):62W,线性降额系数为0.95 W/°C。
    - 最大工作结温(TJ):-55°C到+175°C。
    - 最大栅极-源极电压(VGS):±20V。
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):300mJ。
    - 热阻(RθJC):典型值为1.05°C/W。
    - 静态特性
    - 击穿电压(V(BR)DSS):100V。
    - 漏源导通电阻(RDS(on),典型值):10.7mΩ。
    - 动态特性
    - 前向跨导(gfs):最小值为100S。
    - 总栅极电荷(Qg):典型值为58nC。
    - 输出电容(Coss):典型值为220pF。
    - 二极管特性
    - 连续源电流(IS):最大62A。
    - 反向恢复时间(trr):典型值54ns(TJ = 25°C)。

    产品特点和优势


    HEXFET MOSFET在硬开关电路和高频率应用中表现出色。其坚固的栅极和雪崩保护、全面表征的电容和雪崩耐受能力,使其成为市场上极具竞争力的产品。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力确保其在严苛的工作条件下仍能可靠运行。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:用于SMPS中实现高效率的同步整流,减少功耗并提高效率。
    - 不间断电源:提供稳定的电力供应,确保关键设备的持续运行。
    - 高速功率开关:适用于需要快速响应和高频率工作的场合。
    使用建议:在设计电路时,需考虑温度影响和功耗,选择适当的散热措施以保证MOSFET的正常工作。同时,在选择驱动电路时,应确保驱动电压和电流满足要求,避免过压和过流情况。

    兼容性和支持


    HEXFET MOSFET与现有的大部分电路板设计兼容,适合多种封装类型。国际整流器公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线帮助和现场技术支持,以帮助客户解决安装和使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q1: MOSFET在工作过程中出现异常高温。
    - A1: 可能是由于散热不良导致,检查散热器是否安装正确,或者增加散热片以改善散热效果。
    - Q2: 驱动电路无法正常控制MOSFET。
    - A2: 确认驱动电路输出电压和电流是否符合MOSFET的驱动需求,调整驱动电路参数。
    - Q3: MOSFET工作不稳定。
    - A3: 检查电路中的噪声和干扰源,采取必要的屏蔽措施。

    总结和推荐


    HEXFET MOSFET以其卓越的性能、坚固的耐用性和广泛的应用范围成为市场上非常受欢迎的产品。特别是在高效率、高可靠性要求的应用中,其表现出色。综上所述,我们强烈推荐使用这款产品来提升电子系统的性能和可靠性。

IRFB4510PBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 100µA
配置 独立式
Id-连续漏极电流 62A
Rds(On)-漏源导通电阻 13.5mΩ@ 37A,10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 140W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 87nC@ 10 V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.18nF@50V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRFB4510PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFB4510PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4510PBF IRFB4510PBF数据手册

IRFB4510PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.2925
1000+ ¥ 3.1985
3000+ ¥ 3.051
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