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IRFI4229PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 46W(Tc) 30V 5V@ 250µA 110nC@ 10 V 1个N沟道 250V 46mΩ@ 11A,10V 19A 4.48nF@25V TO-220AB 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: IRFI4229PBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFI4229PBF

IRFI4229PBF概述

    电子元器件产品技术手册:IRFI4229PbF HEXFET® Power MOSFET

    产品简介


    IRFI4229PbF是一款专为等离子显示面板(PDP)的维持、能量回收和旁路开关应用设计的HEXFET®功率MOSFET。它采用了先进的工艺技术,优化了关键参数以实现低导通电阻和较低的能量脉冲额定值,从而降低在维持、能量回收和旁路开关应用中的功耗。该器件的工作结温高达150°C,并具有高重复峰值电流能力,使其成为高效、坚固且可靠的PDP驱动解决方案。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏极电流 (ID):@ TC = 25°C 时为19A,@ TC = 100°C 时为12A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):72A
    - 重复峰值电流 (IRP):@ TC = 100°C 时为32A
    - 最大功耗 (PD):@ TC = 25°C 时为46W,@ TC = 100°C 时为18W
    - 焊接温度:300°C(1.6mm远离封装)
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, TSTG):-40°C 至 +150°C
    - 热阻抗:
    - 结至外壳热阻 (RθJC):2.73°C/W
    - 结至环境热阻 (RθJA):65°C/W
    - 关键参数:
    - 漏源电压最大值 (VDS max):250V
    - 漏源电压击穿电压 (V(BR)DSS):250V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):典型值为38mΩ @ 10V
    - 电特性:
    - 门阈电压 (VGS(th)):3.0V 至 5.0V
    - 门源前向泄漏 (IGSS):100nA
    - 输入电容 (Ciss):典型值为4480pF
    - 有效输出电容 (Coss eff.):典型值为270pF

    产品特点和优势


    - 先进工艺技术:采用了最新的制造工艺,提升了器件的整体性能。
    - 优化的关键参数:针对PDP维持、能量回收和旁路开关应用进行了参数优化。
    - 低能量脉冲额定值:降低了PDP应用中的功耗。
    - 低栅极电荷 (QG):实现了快速响应。
    - 高重复峰值电流能力:确保可靠运行。
    - 短上升时间和下降时间:加快了开关速度。
    - 高温工作能力:工作结温最高可达150°C,提升了鲁棒性。
    - 重复雪崩能力:增强了器件的可靠性和稳健性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:主要用于等离子显示面板的维持电路、能量回收电路和旁路开关电路。
    - 使用建议:在实际应用中,建议对热管理和电路布局进行优化,以确保良好的散热效果和稳定的工作状态。特别注意不要超过绝对最大额定值,以免损坏器件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品采用TO-220 Full-Pak封装,适用于传统的通孔安装,但不推荐用于表面贴装应用。
    - 支持:提供详细的技术资料和技术支持,如有任何问题可联系Infineon Technologies官方技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件过热保护如何设置?
    - 解决方案:确保系统的散热措施到位,避免长时间高负荷工作,必要时可添加外部散热装置。

    - 问题2:如何正确选择栅极电阻 (RG)?
    - 解决方案:根据应用需求选择合适的栅极电阻,通常需要通过实验确定最佳值,参考数据手册中的建议值。
    - 问题3:器件如何处理重复雪崩?
    - 解决方案:通过合理的设计和选用适当的栅极电阻,确保器件能够在重复雪崩条件下安全工作。

    总结和推荐


    IRFI4229PbF HEXFET® 功率MOSFET凭借其高效的性能、强大的鲁棒性和可靠性,非常适合用于等离子显示面板的维持、能量回收和旁路开关应用。该器件在高温环境下表现出色,同时具备快速响应和高电流能力。尽管价格可能较高,但考虑到其优异的性能和可靠性,强烈推荐在相关应用中使用。

IRFI4229PBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 250V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.48nF@25V
栅极电荷 110nC@ 10 V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 19A
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 46mΩ@ 11A,10V
最大功率耗散 46W(Tc)
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IRFI4229PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFI4229PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFI4229PBF IRFI4229PBF数据手册

IRFI4229PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 7.54
500+ ¥ 7.41
1000+ ¥ 7.28
3000+ ¥ 7.15
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起订量: 50 增量: 50
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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