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IPP600N25N3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 136W 20V 2V 22nC@ 10V 1个N沟道 250V 60mΩ@ 10V 25A 1.77nF@ 100V TO-220 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: 726-IPP600N25N3GXK
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP600N25N3 G

IPP600N25N3 G概述

    IPB600N25N3 G IPP600N25N3 G IPI600N25N3 G 技术手册

    1. 产品简介


    IPB600N25N3 G IPP600N25N3 G IPI600N25N3 G 是一种采用OptiMOSTM3技术的N沟道功率晶体管。它主要应用于高频率开关和同步整流,具备低导通电阻(RDS(on))和优异的栅极电荷×导通电阻积(FOM)。这些特性使其成为电力电子系统中的理想选择,广泛应用于工业控制、电源管理、通信设备等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 连续漏极电流 (ID): 25 A @ TC=25°C, 18 A @ TC=100°C
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse): 100 A @ TC=25°C
    - 雪崩能量 (EAS): 210 mJ @ ID=25 A, RGs=25 W
    - 反向二极管电压变化率 (dv/dt): 10 kV/µs
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 功耗 (Ptot): 136 W @ TC=25°C
    - 工作和存储温度范围 (Tj, Tstg): -55...175 °C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 250 V @ VS=0 V, ID=1 mA
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 2...4 V @ VDS=VGS, ID=90 µA
    - 零栅压漏极电流 (IDSS): -0.1...1 µA @ VDS=200 V, VGS=0 V
    - 栅源漏电流 (IGSS): -1...100 nA @ VGS=20 V, VDS=0 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): -51...60 mΩ @ VGS=10 V, ID=25 A
    - 输入电容 (CISS): -1770...2350 pF
    - 输出电容 (COSS): -112...149 pF
    - 反向传输电容 (CRSS): -3...mΩ
    - 热特性
    - 结到外壳热阻 (RthJC): -1.1 K/W
    - 结到环境热阻 (RthJA): -62 K/W @ 最小脚印, 40 K/W @ 40 mm x 40 mm x 1.5 mm 环氧PCB FR4, 6 cm²铜面积连接漏极

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 低至 51 mΩ @ VGS=10 V,使得在高电流应用中损耗更低,效率更高。
    - 高可靠性和稳定性:175 °C的工作温度范围,符合RoHS和无卤素标准,适合恶劣环境应用。
    - 优异的开关性能:高开关速度和低开关损耗,使得在高频应用中表现卓越。
    - 铅自由端子和无卤素材料:满足环保要求,减少对环境的影响。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于高频开关电源、电机驱动、光伏逆变器等领域。
    - 使用建议:确保电路设计中合理配置散热措施,以避免过热。同时,注意栅极驱动的设计,以保证开关性能和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与各种标准栅极驱动器兼容,适用于多种封装形式(PG-TO263-3、PG-TO220-3、PG-TO262-3)。
    - 支持和维护:Infineon Technologies提供详尽的技术文档和应用指南,以及专业的技术支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现过热。
    - 解决方案: 加强散热设计,使用合适的散热器或增加空气流动。

    - 问题2: 栅极驱动不稳定。
    - 解决方案: 检查并优化栅极驱动电路设计,确保驱动信号质量良好。

    7. 总结和推荐


    IPB600N25N3 G IPP600N25N3 G IPI600N25N3 G 是一款高性能、高可靠性的N沟道功率晶体管,特别适合高频率开关应用。其出色的性能参数、优秀的热管理和广泛的兼容性,使其成为电力电子系统的首选器件。强烈推荐在需要高效率和高可靠性的应用场景中使用。

IPP600N25N3 G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.77nF@ 100V
Id-连续漏极电流 25A
栅极电荷 22nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 136W
Vds-漏源极击穿电压 250V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IPP600N25N3 G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP600N25N3 G数据手册

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IPP600N25N3 G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 3.3925 ¥ 28.6666
10+ $ 2.668 ¥ 22.5446
100+ $ 1.998 ¥ 16.8831
500+ $ 1.6632 ¥ 14.054
1000+ $ 1.386 ¥ 11.7117
2500+ $ 1.3125 ¥ 11.0906
5000+ $ 1.2705 ¥ 10.7357
库存: 435
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型号 价格(含增值税)
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