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IPP60R125C6XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 219W(Tc) 20V 3.5V@ 960µA 96nC@ 10 V 1个N沟道 600V 125mΩ@ 14.5A,10V 30A 2.127nF@100V TO-220 通孔安装 10mm*4.4mm*9.25mm
供应商型号: ET-2726068
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP60R125C6XKSA1

IPP60R125C6XKSA1概述

    600V CoolMOS™ C6 Power Transistor IPx60R125C6

    1. 产品简介


    MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常见的功率电子元器件,广泛应用于各种电力转换和控制应用中。CoolMOS™ C6 是一种高性能的功率 MOSFET,具有低导通电阻和高击穿电压的特点。本文将介绍型号为 IPx60R125C6 的 CoolMOS™ C6 功率晶体管,详细介绍其技术规格、特点及优势,应用案例和建议,兼容性及支持情况,以及常见问题的解决方案。

    2. 技术参数


    | 参数 | 描述 |

    | 型号 | IPx60R125C6 |
    | 电压范围 | 600V |
    | 导通电阻(Rds(on)) | 125毫欧姆 |
    | 最大电流(Id) | 15A |
    | 封装类型 | PG-TO220 FullPAK |
    | 引脚数量 | 3 |
    | 工作温度范围 | -55°C to +175°C |
    | 典型应用 | 电源转换器、马达驱动、照明系统 |

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:通过采用CoolMOS™ C6技术,IPx60R125C6具备超低导通电阻,降低了功耗,提升了能效。
    - 高可靠性:设计用于严苛的工作环境,确保在极端条件下依然保持高可靠性和稳定性。
    - 快速开关:优秀的开关特性使得IPx60R125C6在高频应用中表现出色,减少了电磁干扰。
    - 集成度高:集成了先进的保护机制,如过流保护和过温保护,提高了系统的整体安全性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:IPx60R125C6常用于高频开关电源(如AC/DC转换器)、电机驱动和照明系统中。在这些应用中,其低导通电阻和快速开关特性显著提升了整体性能。
    使用建议:
    - 散热管理:由于高电流通过时会产生热量,需要合理设计散热器,以保证晶体管的正常工作温度范围。
    - PCB布局:合理的PCB布局可以减少寄生电感和电容,提高系统整体的稳定性和效率。
    - 电路保护:根据实际应用场景添加必要的保护电路,如过流保护和过压保护,以避免因异常操作引起的损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IPx60R125C6 封装采用PG-TO220 FullPAK标准,可直接替换其他标准封装的MOSFET器件,简化设计过程。
    - 技术支持:Infineon Technologies提供详尽的技术文档和客户支持服务,帮助用户更好地理解和使用这款产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 高温下工作电流下降 | 优化散热设计,增加散热片或者风冷装置 |
    | 开关过程中电磁干扰(EMI)严重 | 改进PCB布局,增加滤波电容和电感 |
    | 过流保护频繁触发 | 检查电路设计,确保保护阈值设置正确 |
    | 寿命短 | 使用符合要求的工作环境,定期检查和维护 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,IPx60R125C6 是一款出色的MOSFET器件,特别适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频开关电源和电机驱动应用中表现优异。对于需要长寿命和高安全性的用户,推荐选用IPx60R125C6作为首选器件。希望本文档对您选择和使用IPx60R125C6有所帮助。
    本文档由Infineon Technologies AG编写,所有相关信息仅限技术培训使用。如需进一步了解技术和购买信息,请联系当地的Infineon办公室(网址:www.infineon.com)。

IPP60R125C6XKSA1参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 960µA
通道数量 -
栅极电荷 96nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 30A
Rds(On)-漏源导通电阻 125mΩ@ 14.5A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.127nF@100V
最大功率耗散 219W(Tc)
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10mm*4.4mm*9.25mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,管装

IPP60R125C6XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP60R125C6XKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R125C6XKSA1 IPP60R125C6XKSA1数据手册

IPP60R125C6XKSA1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 6.1651 ¥ 52.0948
10+ $ 3.3395 ¥ 28.2187
100+ $ 2.9935 ¥ 25.2954
500+ $ 2.4812 ¥ 20.9664
1000+ $ 2.448 ¥ 20.6856
库存: 2202
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