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IPP60R280P6XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 104W(Tc) 20V 3.5V@ 430µA 43nC@ 10 V 1个N沟道 600V 280mΩ@ 6.5A,10V 13.8A 950pF@100V TO-220 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: CY-IPP60R280P6XKSA1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP60R280P6XKSA1

IPP60R280P6XKSA1概述

    # 600V CoolMOS™ P6 Power Transistor

    产品简介


    CoolMOS™ P6 是由英飞凌科技公司开发的一种革命性的高压功率MOSFET技术。CoolMOS™ P6系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高端创新。该系列产品提供了快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时保持易用性。极低的开关损耗和导通损耗使得开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更好。这些特性使其适用于多种电子设备,包括PFC阶段、硬开关PWM阶段和共振开关阶段,广泛应用于个人电脑银盒、适配器、液晶电视、平板电视、照明系统、服务器和电信设备等领域。

    技术参数


    最大额定值
    - 连续漏极电流(TC=25°C):13.8 A
    - 脉冲漏极电流(TC=25°C):39 A
    - 单脉冲雪崩能量(ID=2.4A;VDD=50V):285 mJ
    - 重复雪崩能量(ID=2.4A;VDD=50V):0.43 mJ
    - 重复雪崩电流(ID=2.4A;VDD=50V):2.4 A
    - dv/dt 抗扰度:100 V/ns
    - 栅极-源极电压(静态):±20 V
    - 栅极-源极电压(动态):±30 V
    热特性
    - 结-壳热阻(非FullPAK):1.2°C/W
    - 结-环境热阻(非FullPAK):62°C/W
    - 焊接温度(波峰焊接):260°C
    电气特性
    - 漏源击穿电压(VGS=0V,ID=1mA):600 V
    - 栅极阈值电压(VDS=VGS,ID=0.43mA):3.5-4.5 V
    - 栅源漏电电流(VGS=20V,VDS=0V):≤100 nA
    - 导通电阻(VGS=10V,ID=5.2A):0.252-0.655 Ω
    动态特性
    - 输入电容(VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz):1190 pF
    - 输出电容(VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz):54 pF
    - 输出电容(时间相关)(ID=常数,VGS=0V,VDS=0-400V):182 pF
    电荷特性
    - 栅至源电荷(VDD=400V,ID=6.5A,VGS=0-10V):7 nC
    - 栅至漏电荷(VDD=400V,ID=6.5A,VGS=0-10V):9.5 nC
    - 总栅电荷(VDD=400V,ID=6.5A,VGS=0-10V):25.5 nC

    产品特点和优势


    - 高dv/dt抗扰度:增强了MOSFET的鲁棒性,使得器件在高频率开关下表现优异。
    - 超低损耗:非常低的FOM Rdson Qg 和 Eoss,使得效率显著提升。
    - 极高的换向鲁棒性:适合高频硬开关和共振开关应用。
    - 易于使用和驱动:确保应用的便捷性,降低了用户的入门门槛。
    - 无铅镀层,无卤素封装材料:符合环保标准,满足工业级应用要求。
    - 适用于工业应用:通过JEDEC认证(J-STD020和JESD22),保证了高标准的质量和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    CoolMOS™ P6功率晶体管广泛应用于多种电子设备,如PFC(功率因数校正)阶段、硬开关PWM阶段和共振开关阶段。例如,在适配器和液晶电视中,该器件能够提高整体能效并减少体积。此外,该器件还适用于服务器和电信设备,提供更高的可靠性和稳定性。
    使用建议
    - 在并联MOSFET时,建议在栅极上使用铁氧体磁珠或单独的Totem Pole配置,以防止电流不均衡。
    - 由于较高的结温对MOSFET的性能有较大影响,建议在高温环境下适当降低工作电流,以避免过热。

    兼容性和支持


    CoolMOS™ P6系列支持多种封装形式,包括TO-247、TO-263、TO-220和TO-220 FP。这些不同的封装形式使得该器件可以广泛应用于各种应用场景。此外,英飞凌科技提供了丰富的技术支持和文档资源,包括模拟模型和设计工具,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何防止并联MOSFET的电流不平衡?
    解决方案:建议在栅极上使用铁氧体磁珠,或者采用单独的Totem Pole配置来平衡电流。
    问题2:如何处理高温环境下的工作?
    解决方案:当工作环境温度较高时,可以通过降低工作电流或增加散热措施来防止过热。此外,建议使用合适的散热片或散热器,以提高热管理效率。

    总结和推荐


    CoolMOS™ P6功率晶体管凭借其卓越的性能和高可靠性,成为众多电子设备的理想选择。其独特的特性使其在多种应用场景中表现出色,尤其是在硬开关和共振开关阶段的应用中,能显著提高系统的效率和稳定性。综上所述,强烈推荐使用CoolMOS™ P6系列作为高性能功率MOSFET的首选。

IPP60R280P6XKSA1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 430µA
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 13.8A
最大功率耗散 104W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 950pF@100V
Rds(On)-漏源导通电阻 280mΩ@ 6.5A,10V
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 独立式
栅极电荷 43nC@ 10 V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,管装

IPP60R280P6XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP60R280P6XKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1数据手册

IPP60R280P6XKSA1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.8241 ¥ 7.0915
300+ $ 0.8165 ¥ 7.0276
500+ $ 0.809 ¥ 6.9637
1000+ $ 0.7863 ¥ 6.6443
5000+ $ 0.7863 ¥ 6.6443
库存: 21506
起订量: 142 增量: 1
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型号 价格(含增值税)
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12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336