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IRLR7843PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 140W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 50nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 3.3mΩ@ 15A,10V 161A 4.38nF@15V TO-252 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: FL-IRLR7843PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR7843PBF

IRLR7843PBF概述

    IRLR7843PbF 和 IRLU7843PbF HEXFET Power MOSFET 技术手册概览

    1. 产品简介


    产品类型: HEXFET 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能: 作为电源转换中的开关元件,提供高效的电力传输。
    应用领域: 主要应用于计算机处理器电源、高频隔离式直流-直流转换器、电信及工业应用中的同步整流。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - VDS (漏源电压): 30V
    - VGS (栅源电压): ±20V
    - ID (连续漏极电流): 在 VGS @ 10V 时为 161A,TC = 25°C;在 VGS @ 10V 时为 12A,TC = 100°C
    - PD (最大功率耗散): 在 TC = 25°C 时为 161W,在 TC = 100°C 时为 113W
    - 热阻
    - RθJC (结-壳热阻): 1.05°C/W
    - RθJA (结-环境热阻,PCB安装): 50°C/W
    - RθJA (结-环境热阻): 110°C/W(不指定安装)
    - 静态特性
    - BVDSS (击穿电压): 30V
    - RDS(on) (导通电阻): 在 VGS = 10V 时为 2.6mΩ(最大)
    - VGS(th) (栅阈值电压): 1.4V 至 2.3V
    - IDSS (漏源漏电流): 最大 1.0μA
    - IGSS (栅源漏电流): 正向 100nA,反向 -100nA
    - gfs (前向跨导): 37S
    - Qg (总栅电荷): 34nC
    - 动态特性
    - Qgs1 (栅源前电荷): 9.1nC
    - Qgd (栅漏电荷): 12nC
    - Qoss (输出电荷): 21nC
    - td(on) (开通延迟时间): 25ns
    - tr (上升时间): 42ns
    - td(off) (关断延迟时间): 34ns
    - tf (下降时间): 19ns
    - 电容特性
    - Ciss (输入电容): 4380pF
    - Coss (输出电容): 940pF
    - Crss (反向转移电容): 430pF
    - 雪崩特性
    - EAS (单脉冲雪崩能量): 14mJ
    - IAR (雪崩电流): 25A
    - 二极管特性
    - IS (持续源电流): 161A
    - VSD (二极管正向电压): 1.0V
    - trr (反向恢复时间): 39ns 至 59ns
    - Qrr (反向恢复电荷): 36nC 至 54nC

    3. 产品特点和优势


    - 低RDS(on) (漏源导通电阻): 在4.5V VGS时具有非常低的RDS(on),从而减少了导通损耗。
    - 超低栅极阻抗: 减少了驱动功率损耗,提高了效率。
    - 完全表征的雪崩电压和电流: 增加了可靠性和耐用性。
    - 适用于高频同步降压转换器: 在计算机处理器电源中表现优秀。
    - 适用于高频隔离直流-直流转换器: 适用于电信和工业应用。
    - 无铅: 符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 计算机处理器电源中的高频同步降压转换器
    - 电信和工业应用中的高频隔离直流-直流转换器
    使用建议:
    - 确保散热设计良好,以避免过热。根据热阻参数选择合适的散热片。
    - 避免长时间超过最大额定值使用,特别是在高环境温度下。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于需要高效功率转换的应用,如计算机、通信设备和工业控制系统。
    - 支持: 供应商提供详细的应用文档和指南,如应用笔记#AN-994,以帮助用户更好地理解和使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备在高负载情况下过热
    解决方案: 使用更大的散热片或者改善散热路径,确保工作温度在安全范围内。
    - 问题: 开关损耗高
    解决方案: 选择更低RDS(on)的型号或者优化驱动电路设计,降低驱动电压损耗。

    7. 总结和推荐


    总结: IRLR7843PbF 和 IRLU7843PbF 功率 MOSFET 是高性能的功率开关元件,特别适合于高频电源转换应用。它们具备低RDS(on)、超低栅极阻抗和出色的雪崩特性,能够显著提升系统效率和可靠性。
    推荐: 强烈推荐这些产品用于需要高效电力传输和严格工作条件的应用中,尤其是在计算机处理器电源和高频直流-直流转换器的设计中。

IRLR7843PBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3.3mΩ@ 15A,10V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V@ 250µA
栅极电荷 50nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 161A
最大功率耗散 140W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.38nF@15V
配置 独立式
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRLR7843PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR7843PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLR7843PBF IRLR7843PBF数据手册

IRLR7843PBF封装设计

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