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IPB065N10N3GATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管 OptiMOS 3系列, Vds=100 V, 80 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: IPB065N10N3GATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1概述

    MOSFET:OptiMOS™3 Power Transistor, 100V

    产品简介


    OptiMOS™3系列是一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),型号为IPB065N10N3 G。这款产品设计用于高频率开关和同步整流应用,具有出色的门极电荷乘以导通电阻的产品性能(FOM)。IPB065N10N3 G适用于要求高效能和高可靠性的工作环境,能够在高达175°C的温度下稳定运行。此外,它符合无铅镀层、RoHS合规、卤素自由标准,通过了JEDEC认证。

    技术参数


    以下是IPB065N10N3 G的主要技术规格:
    - 最大漏源电压(VDS): 100 V
    - 最大导通电阻(RDS(on)): 6.5 mΩ(最大值)
    - 连续漏电流(ID): 80 A
    - 脉冲漏电流(ID,pulse): 320 A
    - 雪崩能量(EAS): 160 mJ
    - 最大功率耗散(Ptot): 150 W
    - 最高工作和存储温度(Tj, Tstg): -55°C 至 +175°C
    热特性方面,IPB065N10N3 G的最大结-壳热阻(RthJC)为1 K/W,最小封装热阻(RthJA)为62 K/W(全尺寸铜箔面积的最小配置),如果增加了40 mm x 40 mm x 1.5 mm的环氧板FR4且有6 cm²铜面积连接到漏极时,热阻降至40 K/W。

    产品特点和优势


    IPB065N10N3 G 的主要特点包括:
    - 低导通电阻(RDS(on)): 该特性显著减少了开关损耗,提高整体效率。
    - 高连续漏电流(ID): 支持大电流的应用需求。
    - 高温操作能力: 能够在-55°C至+175°C的极端环境下保持稳定。
    - 环保材料: 遵循RoHS、无铅、无卤素标准。
    - 优化的FOM: 降低了门极电荷乘以导通电阻,适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    IPB065N10N3 G广泛应用于各类电源管理和多功能市场的应用中,如直流到直流转换器、马达驱动、开关电源和电池充电器等。在使用过程中,建议注意以下几点:
    - 确保冷却系统良好,特别是在高负载情况下。
    - 使用适当大小的电路板,以降低热阻。
    - 考虑外部门极电阻(RG)的选择,以优化开关时间。

    兼容性和支持


    IPB065N10N3 G采用D²PAK封装,引脚定义如下:
    - 漏极(Drain Pin): 2
    - 栅极(Gate Pin): 1
    - 源极(Source Pin): 3
    在配套支持方面,制造商提供了详尽的数据手册和技术文档,确保用户能够充分了解和使用该产品。如有任何疑问或反馈,可以联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题: 温度过高导致MOSFET损坏。
    - 解决方案: 确保有效的散热措施,比如使用较大的散热片或者风扇来增强散热效果。

    - 问题: 导通电阻偏高。
    - 解决方案: 检查门极驱动电压是否达到规定范围,适当增加门极电阻(RG)。

    总结和推荐


    IPB065N10N3 G 是一款高性能的MOSFET,其低导通电阻、高连续漏电流、良好的高温工作能力和环保特性使其非常适合于各种高要求的应用。综上所述,我们强烈推荐这一产品给需要高效、可靠解决方案的设计工程师。

IPB065N10N3GATMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 6.5mΩ@ 80A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 90µA
栅极电荷 64nC@ 10 V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 150W(Tc)
Id-连续漏极电流 80A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.91nF@50V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,卷带包装

IPB065N10N3GATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB065N10N3GATMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB065N10N3GATMA1 IPB065N10N3GATMA1数据手册

IPB065N10N3GATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 20.9823
250+ ¥ 20.3536
500+ ¥ 19.7428
1000+ ¥ 14.9112
5000+ ¥ 13.4199
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