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IPP120N20NFDAKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道MOSFET管, 84 A, PG-TO220-3封装
供应商型号: UA-IPP120N20NFDAKSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP120N20NFDAKSA1

IPP120N20NFDAKSA1概述

    MOSFET IPP120N20NFD 技术手册解析

    1. 产品简介


    MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管) 是一种广泛应用于电源管理和电机控制领域的电子元器件。它以其低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点,在现代电力电子系统中占据着重要地位。本文将详细介绍Infineon公司生产的OptiMOSTM FD功率晶体管——IPP120N20NFD的产品特性和应用情况。
    IPP120N20NFD是一款N沟道增强型场效应晶体管,具有出色的硬换向鲁棒性和低导通电阻(RDS(on)),适用于高达200V的应用场合。其核心特点包括:
    - 快速二极管(FD)且具有降低的Qrr(恢复电荷)
    - 极低的导通电阻RDS(on)
    - 高温操作能力高达175°C
    - 环保无铅镀层,符合RoHS标准
    - 符合JESD223标准的军用等级认证

    2. 技术参数


    以下是IPP120N20NFD的主要技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS(漏源电压) | - | 200 | - | V |
    | RDS(on)(导通电阻) | - | 10.6 | 12 | mΩ |
    | ID(持续漏电流) | - | 84 | - | A |
    | Ptot(总功耗) | - | - | 300 | W |
    | VGS(th)(栅阈电压)| 2 | 3 | 4 | V |
    详细的技术规格可以从技术手册中获取,如热阻参数和动态特性参数等。

    3. 产品特点和优势


    IPP120N20NFD拥有多个独特功能和优势,使其在同类产品中脱颖而出:
    - 低导通电阻:IPP120N20NFD的导通电阻仅为10.6到12毫欧姆(mΩ),在同类产品中处于领先地位,这使得其在高效率功率转换应用中表现出色。
    - 高温操作能力:该产品可在高达175°C的温度下稳定运行,这使其非常适合恶劣环境下的应用。
    - 快速二极管:该器件采用快速二极管设计,大大减少了恢复时间,提高了整体效率。
    这些特性使IPP120N20NFD成为电机控制、电源管理和其他需要高性能MOSFET的领域中的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    IPP120N20NFD广泛应用于各种工业控制系统中,例如电机驱动器、电源适配器和汽车电子等领域。在实际应用中,以下几点建议可能对用户有所帮助:
    - 散热管理:由于该器件的最大功率损耗为300W,因此在实际应用中需要注意良好的散热设计,以避免过热损坏。
    - 电路布局:在电路设计时应确保电源线和信号线分开布线,减少电磁干扰。
    - 过流保护:在实际应用中,应合理设置过流保护措施,防止过大的电流对器件造成损害。

    5. 兼容性和支持


    IPP120N20NFD采用PG-TO220-3封装形式,具有良好的通用性和兼容性。此外,Infineon公司提供全面的技术支持,包括详细的用户手册、应用笔记和技术咨询,以帮助客户更好地理解和使用这款产品。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册中的内容,用户可能会遇到以下常见问题及解决方案:
    - 问题1:过高的导通电阻导致系统效率低下。
    - 解决方案:检查连接电阻是否正常,确认MOSFET工作电压是否正确。
    - 问题2:器件过热导致失效。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,可增加散热片或风扇进行强制冷却。
    - 问题3:启动时出现异常噪声。
    - 解决方案:检查外部电容是否正常连接,必要时增加滤波电容。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IPP120N20NFD凭借其低导通电阻、高可靠性以及优异的温度性能,成为众多应用场合中的优选产品。无论是工业控制还是汽车电子领域,都能发挥出色的表现。强烈推荐给需要高性能MOSFET的工程师和设计师使用。

IPP120N20NFDAKSA1参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 84A,10V
最大功率耗散 300W(Tc)
栅极电荷 87nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.65nF@100V
Id-连续漏极电流 84A
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 270µA
通道数量 1
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPP120N20NFDAKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP120N20NFDAKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDAKSA1数据手册

IPP120N20NFDAKSA1封装设计

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80+ $ 2.2 ¥ 18.436
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634+ $ 2.025 ¥ 16.9695
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