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JANTX2N6764

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 150W 20V 125nC(Max) @ 10V 1个N沟道 100V 65mΩ@ 10V 38A 3.7nF@ 25V TO-204-AA 通孔安装 39.37mm*25.53mm*7.74mm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) JANTX2N6764

JANTX2N6764概述


    产品简介


    产品类型:电子元器件 - 功率场效应晶体管(Power MOSFET)
    主要功能:该产品属于N-Channel功率场效应晶体管,具备高效能和低损耗的特点,适用于多种电力转换应用。
    应用领域:适用于各种需要高效率电力转换的应用,如开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器及高能脉冲电路。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 连续漏极电流 \( ID \):@ VGS = 10V, TC = 25°C时为38A;@ VGS = 10V, TC = 100°C时为24A。
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \):152A。
    - 最大功耗 \( PD \):@ TC = 25°C时为150W。
    - 线性降额因子:1.2 W/°C。
    - 门源电压 \( V{GS} \):±20V。
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):150mJ。
    - 雪崩电流 \( I{AR} \):38A。
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \):15mJ。
    - 峰值二极管恢复 \( dv/dt \):5.5V/ns。
    - 工作结温 \( TJ \):-55至150℃。
    - 存储温度范围 \( T{STG} \):-55至150℃。
    - 引线温度:300℃ (引线距外壳0.063英寸(1.6mm)处持续10秒)。
    - 重量:11.5g(典型)。
    - 热阻抗
    - 结至外壳热阻 \( R{thJC} \):- - 0.83°C/W。
    - 结至环境热阻 \( R{thJA} \):- - 30°C/W(典型底座安装)。
    - 源漏二极管参数和特性
    - 持续源电流 \( IS \):- - 38A。
    - 脉冲源电流 \( I{SM} \):- - 152A。
    - 二极管正向电压 \( V{SD} \):- - 1.9V(\( Tj \) = 25°C, \( IS \) = 38A, \( V{GS} \) = 0V)。
    - 反向恢复时间 \( t{rr} \):- - 500nS(\( Tj \) = 25°C, \( IF \) = 38A, \( di/dt \) ≤ 100A/μs)。
    - 反向恢复电荷 \( Q{RR} \):- - 2.9μC(\( V{DD} \) ≤ 30V)。

    产品特点和优势


    - 重复雪崩和动态dv/dt等级:提供稳定的重复雪崩和dv/dt能力。
    - 密封性:采用密封设计,提高可靠性。
    - 简单的驱动需求:驱动要求简单,易于集成。
    - 并联容易:方便并联使用,提升系统灵活性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:适用于开关电源中,提供高效的电力转换。
    - 电机控制:用于电机控制中,确保电机运行稳定。
    使用建议
    - 在使用过程中,需注意散热管理,特别是高电流和高温度环境下,确保良好的热管理。
    - 在高频应用中,注意门极电容和输出电容的影响,适当调整驱动电阻以优化开关性能。

    兼容性和支持


    - 与常见的电子设备兼容,可以广泛应用于不同的应用领域。
    - 国际整流器公司提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时出现异常电流
    - 解决方案:检查驱动电阻设置是否合理,确保驱动信号稳定。
    2. 问题:高温环境下性能下降
    - 解决方案:优化散热设计,使用更好的散热片或冷却装置。

    总结和推荐


    综合评估
    IRF150功率场效应晶体管在多个方面表现出色,包括高效能、低损耗、简单易用等特点。它适用于多种电力转换应用,具有很高的市场竞争力。
    推荐
    总体来看,IRF150是一款非常值得推荐的产品,尤其适合那些需要高性能电力转换的应用场景。

JANTX2N6764参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.7nF@ 25V
最大功率耗散 150W
配置 独立式
通道数量 1
栅极电荷 125nC(Max) @ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 38A
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 39.37mm*25.53mm*7.74mm
通用封装 TO-204-AA
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级
零件状态 停产

JANTX2N6764厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

JANTX2N6764数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES JANTX2N6764 JANTX2N6764数据手册

JANTX2N6764封装设计

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