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BSC900N20NS3GATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=200 V, 15.2 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: UA-BSC900N20NS3GATMA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 5000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC900N20NS3GATMA1

BSC900N20NS3GATMA1概述

    # BSC900N20NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor

    产品简介


    BSC900N20NS3 G 是一款采用 OptiMOSTM3 技术的N通道增强型功率晶体管,适用于直流到直流转换(dc-dc conversion)的优化设计。其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))和出色的栅极电荷与RDS(on)乘积(FOM),使其成为各种高性能应用的理想选择。
    主要功能
    - 优化用于直流到直流转换
    - N通道增强型晶体管
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 优秀的栅极电荷与RDS(on)乘积(FOM)
    应用领域
    广泛应用于开关电源、电机驱动、服务器电源管理系统、电信设备、汽车电子等领域。

    技术参数


    BSC900N20NS3 G 的技术参数如下:
    - 最大连续漏极电流(ID): 15.2 A(TC=25°C),10.7 A(TC=100°C)
    - 单脉冲漏极电流(ID, pulse): 61 A
    - 雪崩能量(单脉冲)(EAS): 100 mJ
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 最大功率耗散(Ptot): 62.5 W(TC=25°C)
    - 热阻(RthJC): 2 K/W
    - 静态导通电阻(RDS(on)): 90 mΩ(VGS=10 V,ID=7.6 A)
    - 输出电容(COSS): 52 pF 至 69 pF
    - 开关电荷(Qsw): 2.4 nC

    产品特点和优势


    BSC900N20NS3 G 在多个方面表现出色,具有明显的优势:
    - 低导通电阻:RDS(on) 为 90 mΩ(VGS=10 V,ID=7.6 A),保证了高效率的功率转换。
    - 高可靠性:符合RoHS和无卤素标准,适用于严苛的工作环境。
    - 优化的栅极电荷与RDS(on)乘积(FOM):适合高速开关应用,减少开关损耗。
    - 高温运行能力:可在-55°C至150°C的温度范围内正常工作,适用于高温应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    BSC900N20NS3 G 广泛应用于各类电力转换系统中,如开关电源和逆变器。例如,在一个12V输入至5V输出的降压转换器中,BSC900N20NS3 G 可以显著提高效率并降低发热。
    使用建议
    - 散热管理:尽管其热阻较低,但在高负载条件下仍需注意散热设计,以确保长期稳定运行。
    - 电路布局:为了减少寄生电感,应尽量缩短栅极走线,并使用较短且宽的电源走线。
    - 保护措施:建议增加过压保护和过流保护电路,以防极端条件下的损坏。

    兼容性和支持


    BSC900N20NS3 G 与市场上主流的PCB布局和焊盘设计兼容,可用于现有设计的直接替换。Infineon Technologies 提供全面的技术支持,包括详细的参考设计、仿真工具和详尽的文档资料,以帮助客户顺利完成产品集成。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流下工作时,晶体管出现过热现象
    - 解决办法:检查散热设计是否合理,增加外部散热片或改进散热路径,同时考虑降低电流或使用更大的散热器。

    2. 问题:电源转换效率低下
    - 解决办法:检查电路布局和连接是否最优,尤其是电源线和地线的走线。尝试优化栅极驱动电路的设计,以减少开关损耗。

    总结和推荐


    总体来看,BSC900N20NS3 G 是一款高效、可靠的N通道功率晶体管,适用于多种高要求的应用场景。其低导通电阻、优秀的热性能和广泛的温度范围使得它在众多电力转换系统中表现出色。推荐在需要高效率和可靠性的应用中使用该产品,特别是在要求高温运行和良好热管理的环境中。
    通过结合详细的技术参数和广泛的应用支持,Infineon Technologies 为用户提供了高质量的产品和完善的解决方案。

BSC900N20NS3GATMA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 920pF@100V
栅极电荷 11.6nC@ 10 V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 30µA
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 7.6A,10V
最大功率耗散 62.5W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 15.2A
Vds-漏源极击穿电压 200V
长*宽*高 6.1mm(长度)*1.1mm(高度)
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSC900N20NS3GATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC900N20NS3GATMA1数据手册

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BSC900N20NS3GATMA1封装设计

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