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BSD214SNH6327XTSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管 OptiMOS 2系列, Vds=20 V, 1.5 A, SOT-363封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: UA-BSD214SNH6327XTSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSD214SNH6327XTSA1

BSD214SNH6327XTSA1概述

    BSD214SN OptiMOS™2 小信号晶体管

    产品简介


    BSD214SN 是一款来自 Infineon Technologies 的小信号 N 沟道增强型 MOSFET。这类晶体管广泛应用于需要高效率和高可靠性的电子设备中,例如电源管理、开关电路和电池充电器等。其独特的超级逻辑电平特性使得它能够在较低的门极电压下正常工作,极大地简化了系统设计。

    技术参数


    - 主要参数
    - 连续漏极电流:\( ID \)(在 25 °C 时)= 1.5 A;(在 70 °C 时)= 1.2 A
    - 单脉冲雪崩能量:\( E{AS} \)(在 \( ID = 1.5 A \),\( R{GS} = 25 W \))= 3.7 mJ
    - 门源电压:\( V{GS} \) = ±12 V
    - 热阻:\( R{thJA} \)(最小)= 250 K/W
    - 电气特性
    - 栅极阈值电压:\( V{GS(th)} \)(在 \( V{DS} = V{GS} \),\( ID = 3.7 μA \))= 0.7~1.2 V
    - 导通电阻:\( R{DS(on)} \)(在 \( V{GS} = 2.5 V \),\( ID = 0.7 A \))= 176~250 mΩ
    - 输入电容:\( C{ISS} \) = 107~143 pF
    - 输出电容:\( C{OSS} \) = 46~62 pF
    - 反向传输电容:\( C{RSS} \) = 6~9 pF

    产品特点和优势


    BSD214SN 的超级逻辑电平特性允许它在低至 2.5V 的电压下工作,极大地提升了系统的灵活性和适用性。此外,其优异的雪崩能量等级确保了在瞬态条件下的高可靠性。该晶体管符合 AEC-Q101 标准,并且具有 RoHS 和无卤素认证,使其成为汽车和工业应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    典型的应用包括 DC-DC 转换器、电池管理系统、电源管理和 LED 驱动器。在设计开关电源时,应确保门极驱动电压足够高以充分导通晶体管。同时,在高电流应用中,需要特别注意散热设计以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    BSD214SN 采用 PG-SOT363 封装,易于焊接。Infineon Technologies 提供全面的技术支持和长期的产品保障,可联系最近的 Infineon 办事处获取更多技术文档和支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定正确的门极电压?
    - 答: 一般建议使用高于栅极阈值电压的门极电压以确保充分导通。具体门极电压需要根据实际应用中的 \( V{DS} \) 和 \( ID \) 来计算。
    2. 问:如果晶体管过热怎么办?
    - 答: 应优先检查散热措施,如增加散热片或改进 PCB 设计。如果情况没有改善,可以考虑降额使用或更换更大功率的产品。
    3. 问:如何正确焊接?
    - 答: 建议使用符合标准的焊接工艺和温度设定,以避免对晶体管造成损伤。建议参考 Infineon 的焊接指导文件。

    总结和推荐


    综上所述,BSD214SN 是一款高性能的小信号 MOSFET,适用于多种应用场合。其具备出色的电气特性和可靠性,适合用于需要高效率和高稳定性的系统。强烈推荐给需要高可靠性和灵活性的工程师和设计师。

BSD214SNH6327XTSA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 143pF@10V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 12V
栅极电荷 0.8nC@ 5 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 3.7µA
最大功率耗散 500mW(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ@ 1.5A,4.5V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 1.5A
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

BSD214SNH6327XTSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSD214SNH6327XTSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1数据手册

BSD214SNH6327XTSA1封装设计

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12000+ $ 0.0506 ¥ 0.4242
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