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IRL1104PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 167W(Tc) 16V 1V@ 250µA 68nC@ 4.5 V 1个N沟道 40V 8mΩ@ 62A,10V 104A 3.445nF@25V TO-220AB 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: IRL1104PBF-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRL1104PBF

IRL1104PBF概述

    IRL1104PbF HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRL1104PbF 是一种先进的第五代HEXFET® 功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种商业和工业应用。它采用逻辑级门驱动技术和先进的处理技术制造,具有超低导通电阻(RDS(on) = 0.008Ω)和快速开关能力,非常适合用于高效率电力转换系统、电机驱动和其他需要高性能的电源管理电路。

    技术参数


    - 主要参数
    - 最大漏源电压(VDSS):40V
    - 最大连续漏极电流(ID):104A(TC = 25°C),74A(TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):未指定
    - 最大功率耗散(PD):167W(TC = 25°C)
    - 最小热阻(RθJC):0.9°C/W
    - 最大结温(TJ):175°C
    - 工作温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 电学特性
    - 栅极阈值电压(VGS(th)):1.0V 至 无上限
    - 漏极-源极导通电阻(RDS(on)):0.008Ω(VGS = 10V, ID = 62A),0.012Ω(VGS = 4.5V, ID = 52A)
    - 驱动电容(Qg):68nC(ID = 62A)
    - 前向栅极电荷(Qgs):24nC(VDS = 32V)
    - 前向栅极-漏极电荷(Qgd):33nC(VGS = 4.5V)

    产品特点和优势


    IRL1104PbF 的主要优势在于其低导通电阻和高可靠性的设计。这些特点使得它能够在高温环境下稳定工作,并且具备出色的动态dv/dt特性。此外,由于采用了先进的工艺技术,它的栅极泄漏电流非常低,进一步提高了系统的整体性能和可靠性。因此,在各种电力管理和电机控制应用中,IRL1104PbF 能够提供优异的性能表现。

    应用案例和使用建议


    IRL1104PbF 广泛应用于电力转换系统、电机驱动和电源管理电路。例如,在电力变换器的设计中,可以利用其低导通电阻来减少能量损耗并提高系统效率。为了最大化其性能,建议使用低寄生电感和大面积接地平面进行布局设计,以减少杂散电感对开关性能的影响。此外,在高频应用中,确保门驱动信号的纯净性和稳定性是关键。

    兼容性和支持


    IRL1104PbF 采用标准的TO-220封装,便于与其他标准元器件和电路板兼容。制造商提供了详尽的技术支持文档和应用指南,帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,还可以通过官方网站获取最新的产品资料和技术支持信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确保IRL1104PbF的正常工作温度?
    解决方案:确保散热设计合理,避免过热。可以通过增加散热片或使用风扇来改善散热效果。
    - 问题二:如何避免因过压导致的损坏?
    解决方案:使用合适的栅极驱动电路来限制栅极电压,防止超过最大额定值。
    - 问题三:如何优化开关速度?
    解决方案:使用低电阻栅极驱动器,并优化电路布局以减少杂散电感,从而实现快速开关。

    总结和推荐


    总体来说,IRL1104PbF 是一款高度可靠的功率MOSFET,特别适合需要高性能和高可靠性的电力应用场合。其低导通电阻和良好的动态dv/dt特性使其成为电力管理和电机控制的理想选择。我们强烈推荐在高要求的应用环境中使用IRL1104PbF,以获得最佳的性能和可靠性。

IRL1104PBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 104A
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 62A,10V
Vgs-栅源极电压 16V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.445nF@25V
最大功率耗散 167W(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 68nC@ 4.5 V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRL1104PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRL1104PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRL1104PBF IRL1104PBF数据手册

IRL1104PBF封装设计

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型号 价格(含增值税)
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