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IRLR024NTR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 45W 16V 2V 15nC(Max) @ 5V 55V 65mΩ@ 10V,80mΩ@ 5V,110mΩ@ 4V 480pF@ 25V TO-252 贴片安装
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR024NTR

IRLR024NTR概述


    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是由国际整流器公司(International Rectifier)开发的一系列先进的功率场效应晶体管(Power MOSFET)。这类器件以其低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度著称。HEXFET® Power MOSFET 适用于广泛的电力转换应用,如开关电源、马达驱动器、照明系统和汽车电子等领域。

    技术参数


    - 热阻抗
    - RθJC(结点到外壳):3.3°C/W
    - RθJA(外壳到环境,PCB安装):50°C/W
    - RθJA(结点到环境):110°C/W
    - 电流特性
    - ID @ TC = 25°C(连续漏极电流,VGS @ 10V):17A
    - ID @ TC = 100°C(连续漏极电流,VGS @ 10V):12A
    - IDM(脉冲漏极电流):72A
    - PD @ TC = 25°C(功率耗散):45W
    - 线性降额因子:0.3W/°C
    - ISD @ VDD = 25V,TJ = 25°C(最大单脉冲雪崩能量):68mJ
    - 电压特性
    - VDSS(漏极到源极击穿电压):55V
    - VGS(栅极到源极电压):±16V
    - VGS(th)(栅极阈值电压):1.0 - 2.0V
    - V(BR)DSS(漏极到源极反向击穿电压):55V
    - 电容和电荷特性
    - Ciss(输入电容):480pF
    - Coss(输出电容):130pF
    - Crss(反向传输电容):61pF
    - Qg(总栅极电荷):15nC
    - Qgd(栅极到漏极电荷):8.5nC

    产品特点和优势


    HEXFET® Power MOSFET 拥有多个独特的优势,使其在市场上具有很强的竞争力:
    - 先进的处理技术:采用第五代工艺技术,使得每单位硅面积上的导通电阻达到最低。
    - 高速开关:快速的开关速度有助于减少能量损失,提高整体效率。
    - 坚固设计:全面的雪崩等级认证,确保在极端条件下也能稳定工作。
    - 无铅设计:符合环保标准,降低对环境的影响。

    应用案例和使用建议


    HEXFET® Power MOSFET 在多种应用场景中得到了广泛应用,如开关电源、电池充电器和电机驱动器等。例如,在开关电源中,这类器件可以显著提升能效,减少发热量,延长设备寿命。在使用时,建议采取适当的散热措施,如 PCB 布局优化、散热片的应用等,以保证其最佳性能。

    兼容性和支持


    HEXFET® Power MOSFET 可与其他电子元器件或设备无缝集成。国际整流器公司为客户提供技术支持和售后服务,确保在使用过程中获得及时的帮助和指导。此外,公司还提供了详尽的技术文档和在线资源,方便客户查阅。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确保 MOSFET 的散热?
    - 解决方案:选择合适的散热器,进行有效的 PCB 布局优化,确保足够的空气流动。可以通过在器件下方放置大铜箔来提高散热效果。
    2. 问题:如何测试 MOSFET 的栅极电荷?
    - 解决方案:使用专用的测试电路,如图13b所示的Gate Charge Test Circuit。通过测量栅极电荷,可以准确评估器件的开关性能。

    总结和推荐


    HEXFET® Power MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率场效应晶体管,特别适合于需要高效能、紧凑设计和长期稳定运行的应用场景。其先进的工艺技术和全面的特性使其在市场上具备很强的竞争优势。鉴于其优秀的性能和可靠性,我们强烈推荐该产品用于各种电力转换和控制应用中。

IRLR024NTR参数

参数
配置 -
栅极电荷 15nC(Max) @ 5V
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 55V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 480pF@ 25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 45W
Vgs-栅源极电压 16V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 10V,80mΩ@ 5V,110mΩ@ 4V
Id-连续漏极电流 -
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.39mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装

IRLR024NTR厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR024NTR数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLR024NTR IRLR024NTR数据手册

IRLR024NTR封装设计

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