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IPB60R170CFD7ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 75W(Tc) 20V 4.5V@ 300µA 28nC@ 10 V 1个N沟道 600V 170mΩ@ 6A,10V 14A 1.19nF@400V TO-263-3 贴片安装
供应商型号: 3267781
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB60R170CFD7ATMA1

IPB60R170CFD7ATMA1概述

    # 产品概述

    产品简介


    IPB60R170CFD7是一款基于CoolMOS™ CFD7技术的高压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于CoolMOS™系列。CoolMOS™ CFD7是针对软开关拓扑结构优化的最新一代产品,特别适用于相移全桥(ZVS)和LLC谐振转换器等应用。该产品具有高效率、高可靠性及优良的鲁棒性等特点,在服务器、电信、电动汽车充电等领域广泛应用。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 14A (TC=25°C), 9A (TC=100°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (ID,pulse): 51A (TC=25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 60mJ
    - 额定功率 (Ptot): 75W (TC=25°C)
    - 静态电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 600V
    - 门限电压 (V(GS)th): 3.5-4.5V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.17Ω (VGS=10V, ID=6.0A, Tj=25°C)

    - 动态电气特性
    - 输入电容 (Ciss): 1199pF (VGS=0V, VDS=400V, f=250kHz)
    - 输出电容 (Coss): 22pF (VGS=0V, VDS=400V, f=250kHz)
    - 门电荷总值 (Qg): 28nC (VDD=400V, ID=7.0A, VGS=0-10V)

    产品特点和优势


    IPB60R170CFD7的主要特点是其卓越的硬开关鲁棒性、高可靠性和高效率,非常适合用于谐振拓扑结构。其快速体二极管特性使它能够适应快速变化的电压和电流,同时具备低栅极电荷(Qg)、最佳反向恢复电荷(Qrr)和优秀的关断行为,从而提供最佳的效率和可靠性。这些特性使其在软开关应用中表现尤为出色,如相移全桥(ZVS)和LLC谐振转换器。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IPB60R170CFD7被广泛应用于各种高性能电源应用,包括服务器电源、通信设备和电动汽车充电桩。这些应用需要高效率、高可靠性及较低的成本,因此IPB60R170CFD7成为理想选择。
    使用建议
    为了确保良好的性能,用户应遵守以下建议:
    1. 在并联MOSFET时,建议使用扼流圈(ferrite beads)或独立的推拉电路(totem poles)来优化性能。
    2. 注意环境温度的影响,合理设计散热系统以保持在安全的工作范围内。
    3. 根据具体应用选择合适的驱动电路和控制策略,以充分发挥其性能。

    兼容性和支持


    IPB60R170CFD7采用D²PAK封装,具有良好的热性能和电气性能,可以方便地集成到现有设计中。制造商Infineon Technologies提供了详尽的技术文档和支持,包括仿真模型、应用指南及测试电路等资源,以帮助用户更好地理解和使用这款产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免过高的温度导致的损坏?
    - A: 确保良好的散热设计,如使用散热片和风扇,避免长时间运行在高温环境下。
    - Q: 在并联多个MOSFET时应该注意什么?
    - A: 使用扼流圈(ferrite beads)或独立的推拉电路(totem poles)来均衡电流分布,减少并联操作引起的不均匀发热问题。

    总结和推荐


    总体来看,IPB60R170CFD7作为一款高性能的CoolMOS™ CFD7功率MOSFET,无论是在硬开关还是软开关应用中都表现出色,特别是在高可靠性要求的应用场合。其高效率、鲁棒性和易于设计的特点使其成为电力电子应用中的理想选择。我们强烈推荐这款产品给需要高性能MOSFET的工程师和技术人员。

IPB60R170CFD7ATMA1参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.19nF@400V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 300µA
栅极电荷 28nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 14A
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 75W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 170mΩ@ 6A,10V
配置 独立式
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

IPB60R170CFD7ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB60R170CFD7ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R170CFD7ATMA1 IPB60R170CFD7ATMA1数据手册

IPB60R170CFD7ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 10.1039
500+ ¥ 10.1039
1000+ ¥ 10.1039
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