处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFY440

IRFY440

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 100W 20V 4V 68.5nC(Max) @ 10V 1个N沟道 500V 850mΩ@ 10V 7A 1.3nF@ 25V TO-257-3 通孔安装 10.66mm*5.08mm*16.89mm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFY440

IRFY440概述

    电子元器件产品技术手册:500V N-Channel HEXFET® MOSFET

    产品简介


    500V N-Channel HEXFET® MOSFET(型号为IRFY440C和IRFY440CM)是一种高效的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种晶体管采用高效的几何设计,结合了低导通电阻和高跨导特性。HEXFET® MOSFET是国际整流器公司(International Rectifier)先进系列功率MOSFET的一部分,广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器和任何需要高可靠性的场合。该产品具有电压控制简单、快速开关、并联容易和电气参数温度稳定等优点。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术参数和技术规格:
    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏极-源极击穿电压 (BVDSS) | V | — | 500 | — |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | Ω | — | 0.85 | — |
    | 栅极阈值电压 (VGS(th)) | V | 2.0 | — | 4.0 |
    | 峰值漏极电流 (IDM) | A | — | — | 28 |
    | 集电极-发射极持续电流 (ID) | A | 7.0 | — | 4.4 |
    | 额定单脉冲雪崩能量 (EAS) | mJ | — | — | 510 |
    | 雪崩电流 (IAR) | A | — | — | 7.0 |
    | 重复雪崩能量 (EAR) | mJ | — | — | 10 |
    | 热阻 (RthJC) | °C/W | — | 1.25 | — |

    产品特点和优势


    HEXFET® MOSFET的关键特点包括:
    - 简单驱动要求:由于其低栅极阈值电压,HEXFET® MOSFET易于驱动。
    - 易于并联:MOSFET可以方便地并联使用,适用于高功率应用。
    - 密封结构:HEXFET® MOSFET采用密封封装,消除了额外的隔离材料需求,提高了热效率。
    - 陶瓷接线端子:陶瓷接线端子增强了长期稳定性。
    - 适合空间级应用:HEXFET® MOSFET特别适合对可靠性要求高的应用。

    应用案例和使用建议


    HEXFET® MOSFET适用于多种应用场景,例如:
    - 开关电源:用于稳压器和变换器的设计。
    - 电机控制:在工业自动化和机器人技术中作为关键组件。
    - 音频放大器:在音响系统中提供高效的功率输出。
    使用建议:
    - 在选择栅极驱动电阻时,建议使用低阻值以减少开关损耗。
    - 注意散热设计,特别是对于高功率应用,以确保良好的热管理。

    兼容性和支持


    HEXFET® MOSFET可以与其他标准MOSFET引脚兼容的电路板和设备一起使用。制造商提供了详细的技术文档和客户支持,帮助用户在应用过程中解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:高环境温度下漏极电流下降。
    - 解决办法:优化散热设计,使用更有效的散热器。

    - 问题:开关频率过高导致热损坏。
    - 解决办法:降低开关频率或增加散热措施。

    总结和推荐


    综上所述,500V N-Channel HEXFET® MOSFET(型号为IRFY440C和IRFY440CM)是一款性能卓越的功率MOSFET。它在多种应用中表现出色,尤其是在需要高可靠性和高效能的应用中。我们强烈推荐使用此产品,特别是在需要高功率处理能力和良好热管理的应用场景中。

IRFY440参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 68.5nC(Max) @ 10V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 100W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@ 25V
Vds-漏源极击穿电压 500V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ@ 10V
长*宽*高 10.66mm*5.08mm*16.89mm
通用封装 TO-257-3
安装方式 通孔安装

IRFY440厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFY440数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFY440 IRFY440数据手册

IRFY440封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336