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IPP60R099C7XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS系列, Vds=650 V, 22 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2726067
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP60R099C7XKSA1

IPP60R099C7XKSA1概述

    600V CoolMOS™ C7 Power Transistor IPP60R099C7

    产品简介


    CoolMOS™ C7 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,由 Infineon Technologies 设计并依据超级结(SJ)原理开发。600V CoolMOS™ C7 系列结合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验和高水准的创新。作为一款高性能的产品,600V C7 在导通电阻与面积比上首次突破了 1Ω·mm² 的界限。
    该 MOSFET 适用于硬开关和软开关应用(如 PFC 和高性能 LLC),同时具备高转换速率(最高可达 120V/ns),从而提高整体效率。此外,它的低 Eoss 和 Qg 值允许在不损失效率的情况下提高开关频率。这款器件非常适合服务器、电信、太阳能等领域。

    技术参数


    - 电压特性
    - 最大耐压(VDS):650V
    - 击穿电压(V(BR)DSS):600V
    - 源极漏极导通电压(VSD):0.9V(最大)

    - 电流特性
    - 连续漏极电流(ID):22A(TC=25°C),14A(TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流(ID,pulse):83A(TC=25°C)
    - 连续源极电流(IS):22A(TC=25°C)
    - 脉冲源极电流(IS,pulse):83A(TC=25°C)
    - 电阻特性
    - 最大导通电阻(RDS(on),max):99mΩ(VGS=10V,ID=9.7A)
    - 静态门源泄漏电流(IGSS):100nA(VGS=20V,VDS=0V)
    - 电容特性
    - 输入电容(Ciss):1819pF(VGS=0V,VDS=400V)
    - 输出电容(Coss):33pF(VGS=0V,VDS=400V)

    - 其他特性
    - 输出电容相关能量(Co(er)):62pF
    - 输出电容相关时间(Co(tr)):641pF
    - 开关时间特性(如 td(on)、tr、td(off)、tf)等

    产品特点和优势


    - 高转换速率:120V/ns 的高 dv/dt 能力,提高了系统效率。
    - 优化效率:通过降低开关损耗实现更高的系统效率。
    - 紧凑设计:由于更小的封装尺寸,使得功率密度更高。
    - 广泛应用:适用于服务器、电信、太阳能等多种应用领域。
    - 可靠的热管理:优秀的热阻特性(RthJC=1.135°C/W),确保了稳定的运行。

    应用案例和使用建议


    - 服务器电源:600V CoolMOS™ C7 可以有效地应用于服务器电源中,特别是在需要高效率和高可靠性的场合。
    - 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,其高转换速率有助于提升整个系统的效率。
    - 建议使用:对于并联 MOSFET 的应用,建议使用磁珠或独立的托台结构,以避免相互干扰。

    兼容性和支持


    - 该产品与 TO-220 封装兼容,并提供了详细的接线图。
    - Infineon 提供技术支持,包括仿真模型、应用指南等资源,以帮助用户更好地理解和使用此产品。

    常见问题与解决方案


    - 问:如何确保该器件不会过热?
    - 答:确保在正确的温度范围内使用该器件(Tj=-55°C 至 150°C)。并参考热特性表(RthJC=1.135°C/W)来设计合适的散热解决方案。

    - 问:能否实现快速开关?
    - 答:可以。通过调整栅极电阻和驱动条件,能够达到所需的快速开关速度。

    总结和推荐


    总体来看,600V CoolMOS™ C7 Power Transistor IPP60R099C7 在其性能、耐用性和广泛的应用领域方面表现优异。无论是服务器电源还是太阳能逆变器,它都能提供高效的解决方案。推荐给那些寻求高性能、高可靠性的用户。

IPP60R099C7XKSA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 99mΩ@ 9.7A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.819nF@400V
最大功率耗散 110W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 490µA
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 600V
栅极电荷 42nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 22A
配置 独立式
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IPP60R099C7XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP60R099C7XKSA1数据手册

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IPP60R099C7XKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 19.3275
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1000+ ¥ 18.9761
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