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IPP60R160P6XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS P6系列, Vds=600 V, 23.8 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: UA-IPP60R160P6XKSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP60R160P6XKSA1

IPP60R160P6XKSA1概述

    # 600V CoolMOS™ P6 Power Transistor 技术手册解析

    产品简介


    MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) 是一种广泛应用于电力转换和控制领域的半导体器件。其中,CoolMOS™ P6系列由英飞凌科技公司设计,采用超结(Super Junction, SJ)原理,旨在实现快速开关的SJ MOSFET,同时保持易用性。该系列产品结合了高性能和高效能,适合于需要高效率和高可靠性的各种应用场合。
    应用领域
    - 功率因数校正(PFC)阶段
    - 硬开关脉宽调制(PWM)阶段
    - 谐振开关阶段
    - 例如:PC Silverbox, 适配器, LCD & PDP电视, 照明系统, 服务器, 通信设备和不间断电源(UPS)

    技术参数


    主要技术规格
    | 参数 | 值 | 单位 | 备注 |
    ||
    | 漏源电压(最大值) | 650 | V
    | 导通电阻(最大值) | 160 | mΩ
    | 典型栅极电荷 | 44 | nC
    | 脉冲漏电流(最大值) | 68 | A
    其他电气特性
    | 参数 | 值 | 单位 | 备注 |
    ||
    | 开关能量(400V时) | 5.7 | μJ
    | 体二极管耐压能力(di/dt) | 500 | A/μs

    产品特点和优势


    CoolMOS™ P6系列的主要特点包括:
    - 增强的MOSFET dv/dt抗扰度
    - 极低损耗,非常低的Rdson Qg 和 Eoss
    - 非常高的换流抗扰度
    - 易于使用/驱动
    - 无铅镀层,卤素自由模塑化合物
    - 根据JEDEC标准认证,适用于工业级应用
    这些特点使其成为市场上高效、可靠的MOSFET产品之一,特别适合高效率应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 功率因数校正电路: 在此类电路中,该器件可以显著降低损耗,提高效率。
    - 硬开关PWM电路: 高速开关性能使得这类应用受益匪浅。
    - 谐振开关电路: 出色的导通电阻特性和快速响应能力确保了最佳性能。
    使用建议
    - 并联MOSFET时,建议使用铁氧体磁珠或独立的推挽结构,以减少噪声干扰。
    - 热管理: 由于功耗较高,需注意散热,特别是在连续工作条件下。

    兼容性和支持


    CoolMOS™ P6系列有多种封装选项,如TO-247, TO-220, TO-220 FP, 和 D²PAK,这为不同应用提供了灵活的选择。此外,英飞凌还提供丰富的支持资源,包括应用指南、模拟模型和设计工具,帮助用户快速有效地部署这些器件。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问:如何处理并联MOSFET时的噪声干扰?
    - 答: 使用铁氧体磁珠或独立的推挽结构可以有效减少噪声干扰。

    2. 问:在高温环境下,如何优化功耗?
    - 答: 通过优化散热设计,如采用高效散热器或增加散热片,可以有效控制温度上升。

    总结和推荐


    综合评估
    CoolMOS™ P6系列具备卓越的性能和广泛的适用范围,特别是对于要求高效率和高可靠性的应用,该系列产品表现尤为出色。凭借其强大的电气特性、优越的抗扰度和易于使用的特点,该器件在市场中具有显著的竞争优势。
    推荐使用
    鉴于CoolMOS™ P6系列的独特优势和广泛应用,强烈推荐在电力转换和控制相关项目中使用。这些器件能够带来显著的效率提升和可靠性增强,满足现代电子系统的需求。
    通过英飞凌的技术支持和详尽的文档资料,用户可以轻松掌握这些高性能MOSFET的使用方法,并充分利用其优势。

IPP60R160P6XKSA1参数

参数
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 9A,10V
Id-连续漏极电流 23.8A
栅极电荷 44nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 176W(Tc)
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 750µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.08nF@100V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPP60R160P6XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP60R160P6XKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1数据手册

IPP60R160P6XKSA1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.105 ¥ 9.2599
151+ $ 1.0975 ¥ 9.1971
463+ $ 1.08 ¥ 9.0504
1206+ $ 1.0275 ¥ 8.6105
库存: 950
起订量: 114 增量: 50
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