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IPAN65R650CEXKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 28W(Tc) 20V 3.5V@ 210µA 23nC@ 10 V 1个N沟道 650V 650mΩ@ 2.1A,10V 10.1A 440pF@100V TO-220 通孔安装 10.65mm*4.85mm*16.15mm
供应商型号: IPAN65R650CEXKSA1-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPAN65R650CEXKSA1

IPAN65R650CEXKSA1参数

参数
栅极电荷 23nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 210µA
Rds(On)-漏源导通电阻 650mΩ@ 2.1A,10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 28W(Tc)
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 440pF@100V
Id-连续漏极电流 10.1A
长*宽*高 10.65mm*4.85mm*16.15mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPAN65R650CEXKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPAN65R650CEXKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPAN65R650CEXKSA1 IPAN65R650CEXKSA1数据手册

IPAN65R650CEXKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.5228 ¥ 12.8677
50+ $ 0.7242 ¥ 6.1199
100+ $ 0.6229 ¥ 5.2125
500+ $ 0.4918 ¥ 4.1159
1000+ $ 0.4567 ¥ 3.8219
库存: 18
起订量: 1 增量: 1
交货地:
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