处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFR3710ZPBF

IRFR3710ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 140W(Tc) 20V 4V@ 250µA 100nC@ 10 V 1个N沟道 100V 18mΩ@ 33A,10V 42A 2.93nF@25V DPAK 贴片安装
供应商型号: 1463245
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR3710ZPBF

IRFR3710ZPBF概述

    IRFR3710ZPbF 和 IRFU3710ZPbF 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRFR3710ZPbF 和 IRFU3710ZPbF 是由英飞凌科技(Infineon Technologies)设计生产的HEXFET® Power MOSFET产品。它们的主要功能是作为电源开关,能够有效控制电路中的电流流动。这两个器件广泛应用于各种电源转换设备,如DC-DC转换器、电机驱动器、电源适配器以及各类消费电子设备中。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS): 100V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 18mΩ
    - 连续漏极电流 (ID): 42A(TC=25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 220A
    - 最大耗散功率 (PD): 140W(TC=25°C)
    - 最大栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 150mJ(热限值),测试值200mJ
    - 重复雪崩能量 (EAR): 按照Tjmax限制
    - 工作温度范围 (TJ): -55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围 (TSTG): -55°C 至 +175°C

    3. 产品特点和优势


    - 先进工艺技术:采用了最新的制造工艺,实现极低的导通电阻。
    - 超低导通电阻:典型导通电阻仅为18mΩ,可大幅降低电路中的功耗。
    - 高耐温性能:可在-55°C至+175°C的工作温度范围内稳定运行。
    - 快速开关:具有非常快的开关速度,可提高电路的整体效率。
    - 重复雪崩允许:可承受高达Tjmax的重复雪崩电流,保证在恶劣环境下的可靠性。
    - 多封装选项:提供D-Pak和I-Pak两种封装形式,方便集成到不同的系统中。
    - 无铅:符合环保要求,满足无铅标准。

    4. 应用案例和使用建议


    这些器件在许多应用中都表现出色,例如:
    - 电源转换:在DC-DC转换器中,用于高效转换电能。
    - 电机驱动:在工业和汽车应用中,用于精确控制电机的速度和方向。
    - 通信设备:在电信设备中,用于电源管理。

    使用建议:
    - 在使用过程中,应注意不要超过器件的最大额定电压和电流,以避免过载损坏。
    - 使用过程中需确保散热良好,避免器件因过热而失效。
    - 对于需要较高可靠性的应用,可以选择测试值为200mJ的器件,因为它们具有更好的雪崩性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:这些器件与现有的电源设计兼容,易于替换和集成。
    - 技术支持:英飞凌提供了详细的文档和应用指南,帮助用户更好地理解和使用这些器件。此外,英飞凌还提供了专业的技术支持,包括在线技术支持和咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:导通电阻是否随温度变化?
    解答:导通电阻会随温度变化,但在正常工作温度范围内,变化很小。
    - 问题:如何避免器件因过热而失效?
    解答:使用良好的散热措施,如加装散热片或采用强制风冷,确保器件工作在合适的温度范围内。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IRFR3710ZPbF 和 IRFU3710ZPbF 是高性能、高可靠性的Power MOSFET器件。它们具有先进的工艺技术、超低的导通电阻、快速的开关速度和高耐温性能,适用于多种应用场景。对于需要高性能和可靠性的电源转换设备来说,这两个器件是理想的选择。强烈推荐在各类电源管理、电机驱动及通信设备中使用这些器件。

IRFR3710ZPBF参数

参数
栅极电荷 100nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 42A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 140W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.93nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 33A,10V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 独立式
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFR3710ZPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR3710ZPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3710ZPBF IRFR3710ZPBF数据手册

IRFR3710ZPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.2487 ¥ 10.4518
10+ $ 1.0333 ¥ 8.649
100+ $ 0.8385 ¥ 7.0179
500+ $ 0.7141 ¥ 5.977
1000+ $ 0.6 ¥ 5.022
5000+ $ 0.5628 ¥ 4.7108
库存: 0
起订量: 1 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504