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BSC010NE2LS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 96KW 20V 2V 64nC 1个N沟道 25V 1mΩ@ 10V 100A 4.7nF@ 12V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
供应商型号: 11M-BSC010NE2LS
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC010NE2LS

BSC010NE2LS概述

    由于提供的信息主要集中在包装盒上的标识变更,而不是具体的产品技术手册内容,因此无法直接根据上述内容生成一份关于电子元器件产品的高质量文章。不过,我将基于通常电子元器件产品的技术手册内容来创建一个示例模板,您可以根据实际情况进行调整和补充。

    产品简介


    产品名称: 示例电容器
    产品类型: 钽电容器
    主要功能: 提供高稳定性、低漏电流、长寿命的电能存储解决方案。
    应用领域: 广泛应用于工业控制、通信设备、计算机及外设、汽车电子等领域。

    技术参数


    - 容值范围: 0.1μF ~ 470μF
    - 额定电压: 6.3V ~ 16V
    - 工作温度范围: -55°C ~ +125°C
    - 最大ESR(等效串联电阻): 0.5Ω @ 100kHz
    - 存储条件: 温度:-40°C ~ +85°C;湿度:<85%RH
    - 耐久性: 2000小时@最高工作电压和温度

    产品特点和优势


    - 高可靠性: 具有出色的热稳定性,适用于极端环境。
    - 长寿命: 长达10年的使用寿命。
    - 环保设计: 采用无铅材料制造,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 适用于需稳定电能供给的高性能通讯设备中。
    - 使用建议: 在高温环境下使用时,建议降低工作电压以延长产品寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品与市面上多数主流控制器板卡兼容。
    - 技术支持: 提供全面的技术文档、样品测试及应用指导服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 产品长时间未使用后发现漏电增大。
    - 解决方案: 检查存储环境是否符合标准,避免在高湿度环境下存放。
    - 问题2: 使用过程中发现输出电压波动较大。
    - 解决方案: 确保输入电源稳定,并检查电路设计是否存在不合理之处。

    总结和推荐


    总体评价: 示例电容器是一款高效稳定的储能解决方案,特别适合于要求高可靠性和稳定性的应用场合。结合其卓越的性能与广泛的应用范围,我们强烈推荐在相关项目中采用。
    请注意,上述内容为示例,并非直接从您提供的文件中提取的数据。如果需要针对特定产品进行详细的技术手册解析,请提供完整的产品技术手册内容,以便更准确地编写相应文章。

BSC010NE2LS参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.7nF@ 12V
Id-连续漏极电流 100A
栅极电荷 64nC
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 96KW
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 1mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 25V
长*宽*高 5.15mm*590cm*1mm
通用封装 TDSON(EP)
安装方式 支架安装,贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSC010NE2LS厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC010NE2LS数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSC010NE2LS BSC010NE2LS数据手册

BSC010NE2LS封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.514
10+ ¥ 2.928
30+ ¥ 2.662
100+ ¥ 2.42
500+ ¥ 2.2
1000+ ¥ 2
库存: 3041
起订量: 1 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:1
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