处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFI3205PBF

IRFI3205PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 64 A, TO-220 全包装封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: Q-IRFI3205PBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFI3205PBF

IRFI3205PBF概述


    产品简介


    IRFI3205PbF 是一款由International Rectifier(现为Infineon Technologies)生产的第五代HEXFET功率MOSFET。这种MOSFET采用先进的工艺技术来实现极低的导通电阻(RDS(on)),并结合快速开关速度和坚固的设计,使其成为各种应用的理想选择。IRFI3205PbF封装在TO-220 Full-Pak中,适用于商业和工业应用,无需额外的绝缘硬件即可提供高隔离能力和低热阻。

    技术参数


    - VDSS (最大击穿电压): 55V
    - RDS(on) (导通电阻): 0.008Ω
    - ID (连续漏极电流): 64A
    - 极限参数:
    - ID @ TC = 25°C: 64A
    - ID @ TC = 100°C: 45A
    - IDM (脉冲漏极电流): 390A
    - PD (最大功耗): 63W
    - VGS (栅源电压): ±20V
    - EAS (单脉冲雪崩能量): 480mJ
    - IAR (雪崩电流): 59A
    - EAR (重复雪崩能量): 6.3mJ
    - dv/dt (峰值二极管恢复dv/dt): 5.0V/ns
    - TJ (工作结温范围): -55°C 至 +175°C
    - TSTG (存储温度范围): -55°C 至 +175°C
    - 焊接温度: 300°C,持续10秒
    - 安装扭矩: 10 lbf·in (1.1N·m)

    产品特点和优势


    - 先进工艺技术:采用先进的制造工艺以实现更低的导通电阻。
    - 超低导通电阻:0.008Ω,提供高效的电能转换。
    - 隔离封装:TO-220 Full-Pak封装消除了对额外绝缘硬件的需求。
    - 高电压隔离:2.5kVRMS,确保高可靠性。
    - 完全雪崩额定值:能够承受高瞬时电压冲击。
    - 无铅:符合RoHS标准,环保友好。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电动工具:由于其低导通电阻和高电流能力,非常适合用于电动工具中的马达驱动。
    - 通信电源:在通信设备的电源管理中,IRFI3205PbF能够提供高效的电源转换,减少能量损耗。
    - 光伏逆变器:光伏系统中的逆变器需要高效的开关元件,IRFI3205PbF可以满足这一需求。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意监控结温,避免超过最大值。
    - 使用适当的散热措施以保持低热阻,确保MOSFET在额定范围内运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRFI3205PbF与标准TO-220 Full-Pak插槽兼容,易于集成到现有设计中。
    - 支持:Infineon Technologies提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户能够在设计和应用过程中获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET温度过高。
    - 解决方案:检查散热片的安装情况,确保良好的热传导。必要时增加散热片的面积或使用外部冷却装置。

    - 问题2:电流不稳定。
    - 解决方案:检查电路中的负载和电源连接,确保稳定供电。此外,检查门极电阻设置,适当调整以优化开关时间。

    总结和推荐


    IRFI3205PbF是一款高性能的功率MOSFET,具备多项优秀特性,如超低导通电阻、高电压隔离能力和可靠的工作稳定性。这些特性使得它在众多应用场合中表现出色。无论是电动工具、通信电源还是光伏逆变器,这款MOSFET都能提供高效且可靠的解决方案。因此,我们强烈推荐将IRFI3205PbF应用于需要高效、稳定工作的电力转换系统中。

IRFI3205PBF参数

参数
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 55V
Id-连续漏极电流 64A
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 63W(Tc)
栅极电荷 170nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 34A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4nF@25V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRFI3205PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFI3205PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFI3205PBF IRFI3205PBF数据手册

IRFI3205PBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 7.128
6000+ ¥ 6.864
9000+ ¥ 6.6
库存: 10000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 21384
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831