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IPA60R230P6XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=600 V, 16.8 A, PG-TO220-FP封装, 通孔安装
供应商型号: MIK-IPA60R230P6XKSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPA60R230P6XKSA1

IPA60R230P6XKSA1概述

    600V CoolMOS™ P6 Power Transistor

    1. 产品简介


    CoolMOS™ P6 系列是由英飞凌科技开发的一种革命性的高压功率 MOSFET 技术。CoolMOS™ 系列以其卓越的超结(Super Junction, SJ)原理而闻名,结合了先进的创新和领先的 SJ MOSFET 供应商的经验。这种类型的 MOSFET 在高速开关应用中表现出极低的导通和开关损耗,使得它们在高效、紧凑和轻量化的电路设计中具有明显的优势。此外,这些 MOSFET 易于驱动,符合工业标准认证,并采用无铅电镀和无卤素模塑料制造,确保环境友好。
    产品型号:
    - IPW60R230P6
    - IPB60R230P6
    - IPP60R230P6
    - IPA60R230P6
    产品类型:
    - 600V 高压 MOSFET
    主要功能:
    - 极低的开关和导通损耗
    - 强大的 dv/dt 耐受能力
    - 简单易用的驱动方式
    应用领域:
    - 功率因数校正(PFC)级
    - 硬开关 PWM 级
    - 谐振开关级
    - 例如 PC Silverbox, 适配器, LCD 和 PDP 电视, 照明, 服务器, 电信和不间断电源 (UPS) 等应用

    2. 技术参数


    关键性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 650 | V |
    | 最大导通电阻 (RDS(on)) | 230 | mΩ |
    | 典型栅源电荷 (Qg) | 31 | nC |
    | 脉冲漏电流 (ID,pulse) | 48 | A |
    | OSS 能量 @ 400V | 4.2 | μJ |
    | 体二极管的 di/dt | 500 | A/μs|
    最大额定值:
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 | 注释/测试条件 |

    | 持续漏极电流 (ID) | - | - | 16.8| TC=25°C |
    | 冲击漏极电流 (ID,pulse) | - | - | 48 | TC=25°C |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | - | - | 352 | ID=2.9A, VDD=50V, 见表 12 |
    | 反复雪崩能量 (EAR) | - | - | 0.53| ID=2.9A, VDD=50V, 见表 12 |
    | 反复雪崩电流 (IAR) | - | - | 2.9 | - |
    热特性:
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 | 注释/测试条件 |

    | 结-壳热阻 (RthJC) | - | 0.99 | °C/W| - |
    | 结-环境热阻 (RthJA) | - | 62 | °C/W| 引线焊接 |
    | 波峰焊接允许温度 (Tsold) | - | 260 | °C | - |

    3. 产品特点和优势


    - 增强的 dv/dt 耐受性:能够在高频率下稳定工作,增加系统的可靠性和稳定性。
    - 极低的损耗:由于非常低的 FOM (RdsonQg) 和 Eoss,使得转换效率大大提高。
    - 高耐受性:即使在恶劣条件下也能保持高抗压和抗过流能力。
    - 易于使用和驱动:简化了设计过程和调试工作。
    - 环保材料:无铅电镀和无卤素模塑料,符合环保要求。
    - 工业认证:通过 JEDEC 认证,满足工业标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 功率因数校正 (PFC):适合于各种开关电源应用,如笔记本电脑适配器、照明系统等。
    - 硬开关 PWM:适用于高能效的应用,例如数据中心服务器的电源管理。
    - 谐振开关:用于低功耗设备,如 LED 照明系统和电信设备。
    使用建议:
    - 并联 MOSFET 时,推荐使用铁氧体磁珠或独立的推挽结构,以防止电流分布不均。
    - 选择合适的散热片和安装方式以保证良好的热传导效果。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品可与多种封装形式兼容,包括 TO-247、TO-220、TO-220 FP 等,适用于不同尺寸和空间限制的应用。
    - 可与标准电路板组装设备和其他常见的电子产品集成。
    支持和维护:
    - 英飞凌提供全面的技术文档、应用笔记和仿真模型。
    - 提供在线技术支持和客户服务,确保用户能够快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题:MOSFET 在高温环境下表现不稳定。
    - 解决方案: 请确保选用合适规格的散热片,并根据应用要求合理布局电路。同时,注意散热路径的畅通性。

    - 问题:系统在开关时出现异常噪音。
    - 解决方案: 仔细检查接线情况,避免线路之间存在短路或接触不良现象。必要时可加装滤波器减少干扰。

    7. 总结和推荐


    总体评估:
    600V CoolMOS™ P6 功率 MOSFET 是一种高效、可靠且易于使用的高压 MOSFET,特别适合应用于高能效的开关电源。其卓越的电气特性和热性能使其成为电力电子领域的首选产品之一。无论是 PFC 阶段还是谐振开关应用,CoolMOS™ P6 都展现了出色的表现,有助于提升整体系统效率和稳定性。
    推荐使用:
    鉴于其优秀的性能和广泛的应用范围,强烈推荐将 600V CoolMOS™ P6 功率 MOSFET 应用于各类高性能开关电源设计中。

IPA60R230P6XKSA1参数

参数
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 230mΩ@ 6.4A,10V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.45nF@100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 530µA
Id-连续漏极电流 16.8A
最大功率耗散 33W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 31nC@ 10 V
长*宽*高 10.65mm*4.85mm*16.15mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IPA60R230P6XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPA60R230P6XKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R230P6XKSA1 IPA60R230P6XKSA1数据手册

IPA60R230P6XKSA1封装设计

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