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IPB80N04S2H4ATMA2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 80 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: IPB80N04S2H4ATMA2
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB80N04S2H4ATMA2

IPB80N04S2H4ATMA2概述

    IPB80N04S2-H4, IPP80N04S2-H4, IPI80N04S2-H4 OptiMOS® Power-Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPB80N04S2-H4, IPP80N04S2-H4 和 IPI80N04S2-H4 是 Infineon Technologies 生产的增强型 N 沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET)。这些器件被广泛应用于汽车电子、电源管理、工业自动化和新能源等领域。它们具备出色的电气特性和高可靠性,适用于各种高功率密度的应用场景。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | V GS=0 V, I D=1 mA | V | - | - | 40 |
    | 栅极阈值电压 | V GS(th) | V DS=V GS, I D=250 µA | V | 2.1 | 3.0 | 4.0 |
    | 零栅极电压漏极电流 | I DSS | V DS=40 V, V GS=0 V | µA | - | 0.01 | 1 |
    | 栅极源极泄漏电流 | I GSS | V GS=20 V, V DS=0 V | nA | - | 1 | 100 |
    | 漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS=10 V, I D=80 A | mΩ | - | 3.2 | 3.7 |
    | 连续漏极电流 | I D | T C=25 °C, V GS=10 V | A | - | 80 | - |
    | 脉冲漏极电流 | I D,pulse | T C=25 °C | A | - | 320 | - |
    | 热阻,结到壳 | R thJC | - | K/W | - | - | 0.5 |
    | 热阻,结到环境 | R thJA | - | K/W | - | - | 62 |

    3. 产品特点和优势


    - 汽车级认证:通过了 AEC-Q101 认证,确保在恶劣环境中稳定运行。
    - 超低 R DS(on):典型值为 3.2 mΩ,提供出色的导电效率。
    - 高可靠性:100% 雪崩测试,保证在极端条件下正常工作。
    - 宽工作温度范围:能够在 -55°C 到 +175°C 的环境下稳定工作。
    - 环保合规:符合 RoHS 标准,绿色产品设计。

    4. 应用案例和使用建议


    这些器件常用于高功率直流-直流转换器、电机驱动系统、电池管理系统和 LED 驱动器等应用中。根据手册中的信息,建议在设计高功率电路时,优先考虑这些器件以获得更好的性能和更高的可靠性。同时,在选择散热方案时,应注意器件的热阻参数,确保能够有效散热。

    5. 兼容性和支持


    这些器件提供了多种封装形式,如 PG-TO263-3-2、PG-TO220-3-1 和 PG-TO262-3-1,适用于不同的安装需求。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,有助于快速解决问题并提升应用效率。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:如何判断器件是否损坏?
    - 解决方案:检查漏极电流(I D)和栅极电压(V GS)是否在规定的范围内。如果发现超出范围,可能需要更换器件。

    2. 问题:在高脉冲电流下工作时,器件是否容易过热?
    - 解决方案:应合理规划电路布局,确保良好的散热条件。使用散热片或强制风冷可以有效降低器件温度。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IPB80N04S2-H4, IPP80N04S2-H4 和 IPI80N04S2-H4 是高性能、高可靠性的功率 MOSFET,特别适合于汽车电子和工业控制领域。其出色的电气特性和广泛的温度适应性使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在高功率密度的应用中使用这些器件,以实现最佳性能。

IPB80N04S2H4ATMA2参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
栅极电荷 148nC@ 10 V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.4nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 80A
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7mΩ@ 80A,10V
最大功率耗散 300W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 40V
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPB80N04S2H4ATMA2厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB80N04S2H4ATMA2数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2数据手册

IPB80N04S2H4ATMA2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 24.372
250+ ¥ 23.6448
500+ ¥ 22.9334
1000+ ¥ 11.1009
5000+ ¥ 10.8794
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