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IPD60R180P7SAUMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管 600V CoolMOS P7系列, Vds=600 V, 18 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-IPD60R180P7SAUMA1 TO-252-3(DPAK)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD60R180P7SAUMA1

IPD60R180P7SAUMA1概述


    产品简介


    IPD60R180P7S MOSFET
    IPD60R180P7S是一款采用CoolMOS P7平台的功率MOSFET,适用于硬开关(如PFC和LLC)及软开关应用。它集成了超结(Super Junction)技术,结合快速开关能力和出色的易用性。这种高性能的MOSFET在多种电源管理领域中表现出色,特别是在个人计算机银盒(PC Silverbox)、适配器、液晶电视(LCD & PDP TV)、照明系统、服务器和通信设备等领域有着广泛的应用。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \):650 V
    - 漏源击穿电压 \( V(BR){DSS} \):600 V
    - 反向恢复电压 \( V{RR} \):最高400 V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 \( ID \):11 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{D,pulse} \):53 A
    - 电阻参数
    - 最大导通电阻 \( R{DS(on)} \):180 mΩ
    - 电容参数
    - 输入电容 \( C{iss} \):1081 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):19 pF
    - 有效输出电容 \( C{o(tr)} \):381 pF
    - 充电参数
    - 门极到源极电荷 \( Q{gs} \):6 nC
    - 门极到漏极电荷 \( Q{gd} \):8 nC
    - 门极总电荷 \( Qg \):25 nC
    - 其他参数
    - 阻抗 \( R{thJC} \):1.74 °C/W
    - 额定脉冲能量 \( E{AS} \):56 mJ
    - 反向恢复时间 \( t{rr} \):175 ns

    产品特点和优势


    - 高可靠性:在所有产品中提供超过2 kV的ESD保护。
    - 低损耗:由于低导通电阻和快速开关特性,可显著降低开关和导通损耗。
    - 易于使用:低振铃倾向和适用于PFC和PWM阶段的设计简化了设计流程。
    - 高集成度:小巧的封装和高制造质量使得产品更适合高密度设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源因子校正(PFC):IPD60R180P7S可应用于各种PFC电路中,用于提高能效并减少谐波干扰。
    - LLC谐振变换器:在许多电源模块中,IPD60R180P7S可确保高频转换过程中的高效性能。
    使用建议:
    - 在进行MOSFET并联操作时,推荐使用铁氧体磁珠或独立的推挽结构,以避免共模干扰问题。
    - 确保合理的散热措施,使用大面积铜箔板来辅助散热,保持结温在安全范围内。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPD60R180P7S能够与其他同类的高压MOSFET互换使用,方便替换和升级。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和模拟模型,便于用户进行设计验证和优化。此外,还提供了技术支持网站上的应用指南和仿真工具。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高结温如何影响器件寿命?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用大尺寸铜箔板和高效的散热片以保持温度低于125°C。
    2. 问题:脉冲负载下MOSFET过热如何处理?
    - 解决方案:增加外部散热措施,例如强制空气冷却或水冷系统,同时优化电路布局,减少热阻。
    3. 问题:如何提高器件的可靠性和耐用性?
    - 解决方案:遵守制造商建议的使用条件,确保器件在规定的电压和电流范围内运行,并定期进行检查和维护。

    总结和推荐


    IPD60R180P7S MOSFET凭借其卓越的电气性能和高效的工作效率,成为多种电源管理和转换应用的理想选择。其快速开关能力、高耐压特性和出色的EMC特性使其在硬开关和软开关应用中表现优异。综上所述,强烈推荐此产品给需要高性能、高可靠性的工程师和技术团队。

IPD60R180P7SAUMA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.081nF@400V
Id-连续漏极电流 18A
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 5.6A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 280µA
Vds-漏源极击穿电压 600V
栅极电荷 25nC@ 10 V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 72W(Tc)
长*宽*高 6.6mm*6.1mm*2.3mm
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD60R180P7SAUMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD60R180P7SAUMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1数据手册

IPD60R180P7SAUMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 6.9423
100+ ¥ 5.7889
1250+ ¥ 5.2606
2500+ ¥ 4.8726
37500+ ¥ 4.851
50000+ ¥ 4.7971
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