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IPD06N03LA G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 83W(Tc) 20V 2V@ 40µA 22nC@ 5 V 1个N沟道 25V 5.7mΩ@ 30A,10V 50A 2.653nF@15V TO-252 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD06N03LA G

IPD06N03LA G概述

    IPD06N03LA G, IPF06N03LA G, IPS06N03LA G, IPU06N03LA G OptiMOS®2 Power-Transistor

    1. 产品简介


    IPD06N03LA G, IPF06N03LA G, IPS06N03LA G, IPU06N03LA G 是Infineon Technologies AG推出的OptiMOS®2系列的N沟道逻辑电平功率晶体管。这些产品特别适合用于高频率直流到直流转换器,如开关电源、逆变器和其他电力电子应用。它们具备优异的热阻抗特性、低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(V(BR)DSS),使其成为高性能电力管理的理想选择。

    2. 技术参数


    - 连续漏极电流 (ID):TC=25°C 时为 50 A;TC=100°C 时为 50 A
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):TC=25°C 时为 350 A
    - 雪崩能量 (EAS):ID=45 A, RG=25Ω 时为 225 mJ
    - 反向恢复电荷 (Qrr):VR=15 V, IF=IS, diF/dt=400 A/µs 时为 10 nC
    - 输出电容 (COSS):25°C 时为 1064 pF
    - 最大工作温度 (Tj, Tstg):-55°C 到 175°C
    - 最大功率耗散 (Ptot):TC=25°C 时为 83 W
    - 最大工作电压 (VDS):25 V
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):VGS=4.5 V, ID=30 A 时为 9.6 mΩ;VGS=10 V, ID=30 A 时为 5.9 mΩ

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:通过JEDEC认证,适用于目标应用。
    - 出色的FOM:优秀的栅极电荷x RDS(on) 产品。
    - 优良的热性能:低热阻,最高工作温度可达175°C。
    - 环保材料:无铅镀层,符合RoHS标准。
    - 宽工作温度范围:从-55°C 到 175°C,适用于恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    这些晶体管非常适合用于高频率直流到直流转换器,如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和电动汽车充电站。使用时,建议考虑散热设计以确保在高温下的稳定运行。例如,在PCB上增加铜箔散热片可以显著提高散热效果。

    5. 兼容性和支持


    这些晶体管支持多种封装类型(P-TO252-3-11, P-TO252-3-23, P-TO251-3-11, P-TO251-3-21),适用于不同的电路布局需求。Infineon提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够获得最佳的应用体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何确保产品在高频率下的稳定性?
    A: 优化PCB设计,使用大容量电容进行滤波,并确保良好的散热设计。
    - Q: 如何防止过高的温度导致损坏?
    A: 使用散热器或散热片,合理安排PCB布局以提高散热效率。
    - Q: 如何确保栅极驱动信号的稳定性?
    A: 使用合适的驱动电路,避免栅极噪声干扰。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IPD06N03LA G, IPF06N03LA G, IPS06N03LA G, IPU06N03LA G OptiMOS®2 Power-Transistor是一款性能卓越、可靠稳定的N沟道逻辑电平功率晶体管,特别适合应用于高频率直流到直流转换器。由于其出色的功能和广泛的应用场景,强烈推荐在相关电力电子项目中采用这些产品。

IPD06N03LA G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 40µA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.653nF@15V
最大功率耗散 83W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 25V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 5.7mΩ@ 30A,10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 22nC@ 5 V
Id-连续漏极电流 50A
通道数量 1
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
包装方式 散装,卷带包装

IPD06N03LA G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD06N03LA G数据手册

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