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IPC50N04S55R8ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 IPC系列, Vds=40 V, 50 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 10B-2986465-46
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPC50N04S55R8ATMA1

IPC50N04S55R8ATMA1概述

    # IPC50N04S5-5R8 OptiMOS™-5 Power-Transistor 技术手册

    产品简介


    IPC50N04S5-5R8 是一款由Infineon Technologies生产的OptiMOS™-5功率MOSFET,专为汽车应用设计。该产品属于N沟道增强型场效应晶体管,能够在正常工作电压下运行。该器件经过AEC Q101认证,符合RoHS标准,是一款环保的绿色产品。它的主要功能是提供高电流处理能力,广泛应用于电源转换、电动车辆、工业控制和其他需要高效率和高性能的领域。

    技术参数


    - 连续漏极电流 (ID):25°C时,VGS=10V 时可达50A;100°C时,VGS=10V 时可达44A。
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):25°C时可达200A。
    - 雪崩能量 (EAS):ID=25A时可达30mJ。
    - 雪崩电流 (IAS):可达50A。
    - 栅源电压 (VGS):±20V。
    - 最大耗散功率 (Ptot):25°C时可达42W。
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C。
    热阻参数:
    - 结-壳热阻 (RthJC):3.6K/W。
    - 结-环境热阻 (RthJA):约50(假设散热面积为6cm²)。
    静态电气特性:
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS):40V。
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):2.2V至3.4V。
    - 零栅压漏电流 (IDSS):-1μA至-100μA(根据温度不同变化)。
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):-100nA。
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):典型值为5.8mΩ。
    动态电气特性:
    - 输入电容 (Ciss):840pF至1090pF。
    - 输出电容 (Coss):230pF至305pF。
    - 反向转移电容 (Crss):15pF至25pF。
    - 开启延迟时间 (td(on)):3.2ns。
    - 关闭延迟时间 (td(off)):5ns。
    栅电荷特性:
    - 栅-源电荷 (Qgs):4.0nC至5.3nC。
    - 栅-漏电荷 (Qgd):3.2nC至4.7nC。
    - 总栅电荷 (Qg):13nC至18nC。
    反向二极管特性:
    - 连续正向电流 (IS):50A。
    - 正向电压 (VSD):0.8V至1.1V。
    - 反向恢复时间 (trr):30ns。

    产品特点和优势


    - 高度集成:采用TDSON-8封装,紧凑且高效。
    - 卓越性能:在-55°C至+175°C的宽温度范围内稳定工作,适用于严苛的工业环境。
    - 高可靠性:通过AEC Q101认证,保证在恶劣环境下仍能保持可靠性能。
    - 节能环保:符合RoHS标准,无有害物质,绿色环保。
    - 低损耗:RDS(on)值较低,有助于降低功耗和提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品广泛应用于电动汽车、工业自动化、电源转换等领域。例如,在电动汽车的电池管理系统中,它可以用于控制电池的充放电过程。
    使用建议
    - 在使用过程中,需注意散热,确保器件的温度不超过最大额定值。
    - 在高温环境中,应注意散热设计,以避免器件过热。
    - 在选择驱动电路时,应确保驱动电压符合栅源电压要求,防止栅极击穿。

    兼容性和支持


    该产品与大多数现有的电路板和系统兼容,便于集成到现有设计中。厂商提供详尽的技术支持,包括应用指南和故障排除文档,帮助用户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅源电压超过最大值导致损坏。
    解决方案:严格控制驱动电压,确保不超过±20V。
    2. 问题:温度过高导致性能下降。
    解决方案:设计有效的散热系统,增加散热片或使用外部冷却装置。
    3. 问题:漏源导通电阻变大。
    解决方案:检查焊接质量和散热条件,必要时重新焊接或更换器件。

    总结和推荐


    综上所述,IPC50N04S5-5R8 OptiMOS™-5功率MOSFET凭借其高可靠性、高性能和广泛的温度适应性,在多个领域具有显著的应用价值。我们强烈推荐此产品用于需要高效率和高性能的应用场合。

IPC50N04S55R8ATMA1参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.09nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 18nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.4V@ 13µA
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 5.8mΩ@ 25A,10V
最大功率耗散 42W(Tc)
通用封装 TDSON-8-33
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,卷带包装

IPC50N04S55R8ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPC50N04S55R8ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1数据手册

IPC50N04S55R8ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.2647
100+ ¥ 4.2511
292+ ¥ 4.081
30000+ ¥ 2.5775
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