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IRLHS6242TR2PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.98W 12V 1.1V@ 10µA 14nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 11.7mΩ@ 8.5A,4.5V 10A 1.11nF@10V PQFN-6 贴片安装 2mm*2mm*900μm
供应商型号: IRLHS6242TR2PBFCT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLHS6242TR2PBF

IRLHS6242TR2PBF概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),专为多种电子应用设计。这种器件通过低导通电阻(RDS(on))和高效率的性能,为电源转换和电机控制等应用提供了优秀的解决方案。
    主要功能:
    - 用于高压和大电流的应用场景
    - 极低的导通电阻(典型值为11.7 mΩ)
    - 快速开关速度
    应用领域:
    - 电源转换器
    - 电池充电器
    - 驱动电机
    - LED 照明控制

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | VDS | 20 | V |
    | VGS | ±12 | V |
    | RDS(on) (VGS=4.5V)| 11.7 | mΩ |
    | RDS(on) (VGS=2.5V)| 15.5 | mΩ |
    | ID (TC Bottom = 25°C) | 12 | A |
    绝对最大额定值:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | VDS | 20 | V |
    | VGS | ±12 | V |
    | ID (TA = 25°C) | 12 | A |
    | IDM | 22 | A |
    | PD (TA = 25°C) | 88 | W |
    | Linear Derating Factor| 0.016 | W/°C|
    热阻:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | RθJC (Bottom)| 13 | °C/W |
    | RθJA | 63 | °C/W |
    | RθJA (<10s) | 46 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    低RDS(on):
    - 低至11.7 mΩ的RDS(on),减少导通损耗。
    低热阻:
    - 低至13°C/W的热阻,增强散热能力。
    低外形设计:
    - 最大厚度1.0 mm,提升功率密度。
    行业标准引脚布局:
    - 兼容多供应商,易于制造。
    无铅无卤素:
    - RoHS合规,环保友好。
    工业级认证:
    - MSL1级,提高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换器: 这款MOSFET因其快速开关速度和低导通电阻,在电源转换器中表现出色。
    - 电池充电器: 在电池充电器中,其高效率和稳定性使得它成为理想选择。
    - 驱动电机: 适用于各种电机控制系统,提供稳定的电流控制。
    使用建议:
    - 在安装时,确保散热器连接良好,以降低工作温度,延长使用寿命。
    - 在选择驱动电路时,确保驱动电压和电流匹配,避免过高的应力导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 与现有的表面贴装技术兼容,便于生产制造。
    厂商支持:
    - 国际整流器公司(International Rectifier)提供详尽的技术支持和文档,确保客户能够顺利集成该产品到其设计中。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开关频率过高,导致温度上升 | 降低驱动电压,调整驱动频率 |
    | 导通电阻高,效率低下 | 检查散热措施,确保良好的散热效果 |
    | 开关时间过长,响应慢 | 优化驱动电路设计,减少延迟 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    - 优点: 低导通电阻、高效率、良好的散热性能、兼容性好。
    - 缺点: 较高的价格,可能不适合预算敏感的应用。
    推荐:
    - 对于需要高效能、高可靠性的应用,如电源转换器和电机控制,这款MOSFET是理想的选择。但在成本敏感的应用中,可能需要进一步权衡性价比。
    希望上述内容对您有所帮助。如需更多详细信息或技术支持,请访问[国际整流器公司网站](http://www.irf.com/)。

IRLHS6242TR2PBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 11.7mΩ@ 8.5A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 10µA
Id-连续漏极电流 10A
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.11nF@10V
最大功率耗散 1.98W
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 14nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 1
长*宽*高 2mm*2mm*900μm
通用封装 PQFN-6
安装方式 贴片安装
零件状态 停产

IRLHS6242TR2PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLHS6242TR2PBF数据手册

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IRLHS6242TR2PBF封装设计

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