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IRF540ZSTRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 92W(Tc) 20V 4V@ 250µA 63nC@ 10 V 1个N沟道 100V 26.5mΩ@ 22A,10V 36A 1.77nF@25V TO-263 贴片安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: 2725887
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF540ZSTRLPBF

IRF540ZSTRLPBF概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是一款高性能的场效应晶体管(Field Effect Transistor),广泛应用于电源转换、电机驱动、照明控制等多种工业应用。本产品具有低导通电阻(RDS(on) = 26.5mΩ)和高耐压能力(VDSS = 100V),能够在高电流条件下提供稳定的开关性能。

    技术参数


    - 基本参数
    - 额定电压:100V(VDSS)
    - 导通电阻:26.5mΩ(RDS(on))
    - 持续漏极电流:36A(ID @ TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流:140A(IDM)

    - 电气特性
    - 单脉冲雪崩能量:41mJ(EAS)
    - 反复雪崩能量:100mJ(EAR)
    - 极限温度范围:-55°C 到 +175°C(TJ)
    - 热阻抗:RθJC = 1.64°C/W,RθJA = 62°C/W

    - 电气特性曲线
    - 输出特性曲线展示了不同门极电压(VGS)下漏极电流(ID)的变化。
    - 电容特性曲线展示了不同漏极-源极电压(VDS)下的输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)及反向传输电容(Crss)。

    - 热特性
    - 热阻抗曲线展示了不同脉冲持续时间(t)下的最大有效瞬态热阻(ZthJC)。

    产品特点和优势


    - 先进的工艺技术:采用了最新的处理技术,实现了每平方硅片上超低的导通电阻。
    - 高温工作能力:可以在高达175°C的结温下稳定工作。
    - 快速开关速度:具备优异的开关性能,能够实现高速切换。
    - 重复雪崩性能:允许在不超过最大结温的情况下进行重复雪崩,提高可靠性。
    - 无铅设计:符合环保标准,适用于各种工业和汽车应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于电源转换器、电机驱动、逆变器、LED照明系统等场景。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时应考虑散热,特别是在高功率应用中,确保适当的散热设计。
    - 使用带有低热阻抗的散热片来降低器件的工作温度,提高可靠性。
    - 在开关频率较高的情况下,需要特别关注寄生电感和电容的影响,避免不必要的损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:可与其他电子元器件或设备配合使用,如其他品牌的高压MOSFET或控制IC。
    - 支持和服务:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南、测试报告和软件工具。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:选择栅极电阻时应参考典型值,通常为12Ω左右。这有助于减少开关损耗并改善EMI性能。
    - 问题2:如何防止热失控?
    - 解决方案:在设计时应注意散热管理,使用合适的散热片和良好的热界面材料(TIM)。此外,可以采用温度监控电路来保护器件免受过热影响。
    - 问题3:如何确定雪崩能量等级?
    - 解决方案:根据具体应用条件选择适当的雪崩能量等级,例如在短路条件下选择更高的雪崩能量。

    总结和推荐


    综上所述,HEXFET® Power MOSFET 具有卓越的性能和可靠性,适用于多种高功率应用场合。该产品在工业和汽车市场中表现出色,适合需要高效能和高可靠性的应用。强烈推荐在设计要求高效率、高功率密度的应用中使用该产品。

IRF540ZSTRLPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 26.5mΩ@ 22A,10V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 63nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 92W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.77nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 36A
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRF540ZSTRLPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF540ZSTRLPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF540ZSTRLPBF IRF540ZSTRLPBF数据手册

IRF540ZSTRLPBF封装设计

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100+ ¥ 5.7392
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