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IRFZ44NSTRR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.8W(Ta),94W(Tc) 4V@ 250µA 63nC@ 10 V 1个N沟道 55V 17.5mΩ@ 25A,10V 1.47nF@25V D2PAK 贴片安装
供应商型号: IRFZ44NSTRR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 800
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFZ44NSTRR

IRFZ44NSTRR概述


    产品简介


    IRF530S MOSFET 是一款专为工业应用设计的高性能电子元器件。它采用D2PAK封装(TO-262),拥有出色的开关特性和较低的导通电阻,适用于各种电源转换应用,如电机控制、直流-直流转换器和电池充电器等。

    技术参数


    - 热阻
    - RθJC:1.5°C/W
    - RθJA:40°C/W
    - 绝对最大额定值
    - 连续漏极电流ID:@ TC = 25°C 时为49A,@ TC = 100°C 时为35A
    - 单脉冲漏极电流IDM:160A
    - 功率耗散PD:@ TA = 25°C 时为3.8W,@ TC = 25°C 时为94W
    - 最大峰值电压VGS:±20V
    - 雪崩电流IAR:25A
    - 重复雪崩能量EAR:9.4mJ
    - 峰值恢复dv/dt:≤5.0V/ns
    - 工作温度范围TJ:-55°C 到 +175°C
    - 焊接温度:300°C (1.6mm 距离)
    - 电气特性
    - 源电流IS:MOSFET 体二极管的最大值
    - 脉冲源电流ISM:MOSFET 体二极管的最大值
    - 体二极管正向电压VSD:@ TJ = 25°C 时最大值为1.3V
    - 反向恢复时间trr:@ TJ = 25°C 时典型值为63ns,最大值为95ns
    - 反向恢复电荷Qrr:@ di/dt = 100A/µs 时典型值为170nC,最大值为260nC

    产品特点和优势


    IRF530S MOSFET 具备以下几个显著的特点和优势:
    1. 低导通电阻:静态漏源导通电阻RDS(on) 仅为17.5mΩ,这使其在高效率电源转换应用中表现出色。
    2. 高耐压能力:最大击穿电压V(BR)DSS 为55V,确保在高压应用中稳定运行。
    3. 良好的散热性能:低热阻RθJC 和 RθJA 确保其在高温环境下也能高效工作。
    4. 优异的开关特性:快速的反向恢复时间和低恢复电荷使其适用于高频开关应用。
    5. 可靠性高:重复雪崩能量高达9.4mJ,保证了长期可靠的工作。

    应用案例和使用建议


    IRF530S MOSFET 广泛应用于电源管理、电机驱动、太阳能逆变器等领域。例如,在一个12V至24V的DC-DC转换器中,该器件可以提供高效的电压转换。在使用时,建议注意以下几点:
    - 散热设计:由于其较高的功率耗散,确保良好的散热措施是必要的,以避免过热。
    - 驱动电路:使用适当的栅极驱动电路来减少开关损耗,确保其高效运行。
    - 布局规划:合理布局PCB以减小寄生电感和电容,提升整体性能。

    兼容性和支持


    IRF530S MOSFET 具有良好的兼容性,可与多种电子设备和其他元器件一起使用。制造商Infineon提供了详细的技术文档和支持服务,以帮助客户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热问题导致器件过热 | 确保良好的散热设计,如增加散热片或改进散热路径。 |
    | 开关损耗高 | 优化栅极驱动电路,减少开关时间,提高驱动速度。 |
    | 导通电阻不稳定 | 确认工作电压和温度范围在额定范围内,避免超负荷运行。 |

    总结和推荐


    IRF530S MOSFET 在众多应用中表现出了卓越的性能,特别是在需要高效率、高可靠性的场合。其低导通电阻、高耐压能力和优良的开关特性使其成为各种电源转换应用的理想选择。总体而言,强烈推荐该产品用于高性能的电力电子系统设计。

IRFZ44NSTRR参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 3.8W(Ta),94W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 55V
Rds(On)-漏源导通电阻 17.5mΩ@ 25A,10V
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 63nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.47nF@25V
通道数量 -
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRFZ44NSTRR厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFZ44NSTRR数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44NSTRR IRFZ44NSTRR数据手册

IRFZ44NSTRR封装设计

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