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IRF1324SPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 240nC@ 10 V 1个N沟道 24V 1.65mΩ@ 195A,10V 340A 7.59nF@24V D2PAK 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: IRF1324SPBF-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF1324SPBF

IRF1324SPBF概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是一款专为高效率同步整流设计的功率场效应晶体管(Power MOSFET)。其主要应用于开关电源管理(SMPS)、不间断电源(UPS)和其他需要高速功率切换的应用场景中。这款器件具有卓越的耐热性和快速恢复能力,非常适合于硬开关和高频电路的设计需求。

    2. 技术参数


    以下为 IRF1324SPbF 和 IRF1324LPbF 的技术参数摘要:
    - 电气特性
    - 持续漏极电流:最大 195A(硅限制)
    - 脉冲漏极电流:最大 340A
    - 最大功耗:24W @ TC = 25°C
    - 击穿电压:24V
    - 导通电阻:典型值 1.3mΩ,最大值 1.65mΩ
    - 封装
    - 封装类型:D2PAK 和 TO-262
    - 绝对最大额定值
    - 门极-源极电压:±20V
    - 过冲电压:±1.65mΩ
    - 最大功率耗散:24W @ TC = 25°C
    - 最大热阻:RθJC ≤ 0.50°C/W(典型值)
    - 动态特性
    - 门极电荷:典型值 160nC
    - 输出电容:典型值 3440pF
    - 反向传输电容:典型值 1960pF
    - 热特性
    - 热阻抗:RθJC ≤ 0.50°C/W,RθJA ≤ 40°C/W(PCB安装)

    3. 产品特点和优势


    HEXFET® Power MOSFET 的独特优势包括:
    - 增强的门极、雪崩和动态 dv/dt 鲁棒性:这使得它能够在恶劣环境下保持稳定。
    - 完全表征的电容和雪崩安全操作区域(SOA):提供可靠的操作保障。
    - 增强的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力:允许更快的开关速度。
    - 无铅材料:符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在开关电源(SMPS)中实现高效率同步整流。
    - 用于不间断电源(UPS)以提高系统可靠性。
    - 实现硬开关和高频电路中的高效功率转换。
    - 使用建议:
    - 在高功率密度应用中考虑其散热管理,确保良好的散热措施。
    - 在高频电路中,合理设置门极电阻以避免振荡。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 可与多种标准功率电子电路接口兼容。

    - 支持:
    - IRF 提供详尽的技术文档和应用笔记,包括详细的焊接技术和推荐的印刷电路板布局。
    - 通过官网获取最新的技术支持和软件工具。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:门极电荷过高导致驱动困难。
    - 解决办法:适当增加栅极电阻或降低驱动电压。

    - 问题 2:温度过高导致性能下降。
    - 解决办法:加强散热措施,如增加散热片或优化电路板布局。

    - 问题 3:长时间工作后出现性能波动。
    - 解决办法:检查电路设计是否合理,确保散热和电气连接良好。

    7. 总结和推荐


    HEXFET® Power MOSFET 以其高可靠性和高效率而闻名,在各种高要求应用中表现出色。适用于高效率同步整流和高频功率转换。根据上述参数和特点,强烈推荐使用此款器件,尤其是在需要高性能功率管理的工业和消费电子产品中。
    本文详细介绍了 HEXFET® Power MOSFET 的特性、应用及其优劣,旨在帮助工程师更好地理解和应用这一高性能功率管理器件。

IRF1324SPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.65mΩ@ 195A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.59nF@24V
栅极电荷 240nC@ 10 V
最大功率耗散 300W(Tc)
配置 独立式
Id-连续漏极电流 340A
Vds-漏源极击穿电压 24V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF1324SPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF1324SPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF1324SPBF IRF1324SPBF数据手册

IRF1324SPBF封装设计

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